TO-247-4 Semiconductores

Resultados: 446
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS

onsemi IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
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321En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
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202En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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709En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
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669En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
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321En existencias
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onsemi IGBTs IGBT 1200V 40A UFS
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257En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
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450En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
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181En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
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417En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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140En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
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282En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
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224En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag
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166En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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220En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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279En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
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61En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
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150En existencias
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onsemi IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
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330En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
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1,674En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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529En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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230En existencias
240Se espera el 09/03/2026
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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240En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
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152En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
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342En existencias
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onsemi IGBTs FS7 1200V 60A SCR IGBT TO247 4L IGBT STAND-ALONE (LOW COST)
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448En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Máx.: 45