RF Power MOSFET Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Microchip Technology VRF161
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 12
Mult.: 1

Microchip Technology VRF2944MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 1

STMicroelectronics RF2L24280CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF4L10700CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L051K0CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L051K5CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.5 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L052K0CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 2 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L05500CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 550 W, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

STMicroelectronics RF5L05750CF2
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

STMicroelectronics RF5L05950CF2
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 950 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

STMicroelectronics RF5L0912750CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L10111K0CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L1214750CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L15030CB2
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 180
Mult.: 180
: 180

STMicroelectronics SD2931-15W
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) PTD NEW MAT & PWR SOLUTION Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics SD2933-03W
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

STMicroelectronics STAC1011-500
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500 W, 50 V, 700 to 1200 MHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 80
Mult.: 80

Microchip Technology DRF1310
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 500 V 2000 W 30 MHz T4 Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 10
Mult.: 1
NXP Semiconductors AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MP075N-54M
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Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
NXP Semiconductors AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MS004-200M
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT27S006N-1000M
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
MACOM MRF154
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,<80MHz,50V,600W
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Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

CML Micro MMA-005022C
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10
CML Micro MMA-012030
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10
CML Micro MMA-012030-M4
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100