RF Power MOSFET Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
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111En existencias
250Se espera el 06/22/2026
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
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72En existencias
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
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282En existencias
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Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177
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10En existencias
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
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2,669En existencias
3,000Se espera el 07/06/2026
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
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394En existencias
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
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608En existencias
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
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112En existencias
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
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709En existencias
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans
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501En existencias
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz
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48En existencias
90Se espera el 04/30/2027
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
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110En existencias
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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB
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53En existencias
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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
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34En existencias
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CML Micro MWT-11F
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
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280En existencias
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Microchip Technology ARF461BG
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
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30En existencias
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Microchip Technology VRF2933MP
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR
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9En existencias
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Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C
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8En existencias
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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146En existencias
250Se espera el 06/25/2026
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
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7En existencias
50En pedido
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
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6,000En existencias
4,000Se espera el 06/29/2026
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
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1,420En existencias
23,000En pedido
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
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418En existencias
2,500En pedido
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
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204En existencias
1,000Se espera el 06/23/2026
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