RF Power MOSFET Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Hoja de datos
2,612Se espera el 07/09/2026
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Hoja de datos
480Se espera el 07/09/2026
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
Hoja de datos
150En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 50

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230HS
Hoja de datos
100Se espera el 06/16/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
Hoja de datos
50Se espera el 10/13/2026
Min.: 1
Mult.: 1


Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
Hoja de datos
27Se espera el 06/16/2026
Min.: 1
Mult.: 1

NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
239Se espera el 10/01/2026
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
Hoja de datos
Plazo de entrega 53 Semanas
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Min.: 1
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: 1,000


CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
10Se espera el 06/30/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
Qorvo GaN FETs DC-12 GHz, 10W, 32V GaN RF Tr Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 7 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
: 50

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 25
Mult.: 1


Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 25
Mult.: 1

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M208
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 140 V 150 W 175 MHz M174
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Plazo de entrega 24 Semanas
Min.: 1
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STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400