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|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAC201602FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
$84.77
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAC201602FC1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
- PXAE263708NB-V1-R0
- MACOM
-
50:
$66.54
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAE263708NBV1R0
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
|
|
No en existencias
|
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Min.: 50
Mult.: 50
:
50
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L16080CF2
- STMicroelectronics
-
160:
$60.58
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16080CF2
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 160
Mult.: 160
:
160
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L42008CG2
- STMicroelectronics
-
300:
$34.62
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L42008CG2
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 300
Mult.: 300
:
300
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
- RF3L05250CB4
- STMicroelectronics
-
100:
$196.49
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF3L05250CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 100
Mult.: 100
:
100
|
|
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|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
- ST9060C
- STMicroelectronics
-
50:
$75.93
-
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo del Fabricante
ST9060C
N.º de artículo de Mouser
511-ST9060C
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
|
|
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
- STAC4932F
- STMicroelectronics
-
80:
$113.98
-
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STAC4932F
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
|
|
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
|
|
Min.: 80
Mult.: 80
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTAC240502FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$79.82
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTAC240502FC1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTAC240502FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
$72.70
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTAC240502FC1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTFC210202FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$59.57
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTFC210202FC1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTFC210202FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
$55.85
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTFC210202FC1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500W, Si LDMOS, 48V, 859-960MHz TO288
- PTRA094858NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
$118.29
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA094858NFV1R5
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500W, Si LDMOS, 48V, 859-960MHz TO288
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
:
500
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA030121EA-V1-R250
- MACOM
-
250:
$36.44
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA030121EA1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA035002EV-V1-R250
- MACOM
-
250:
$446.51
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA035002EV1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500W, Si LDMOS, 50V, 390-450MHz, Flange
- PTVA035002EV-V1-R0
- MACOM
-
50:
$446.51
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA035002EVV1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 500W, Si LDMOS, 50V, 390-450MHz, Flange
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA047002EV-V1-R0
- MACOM
-
50:
$497.09
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA047002EV1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA047002EV-V1-R250
- MACOM
-
250:
$497.09
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA047002EV1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA101K02EV-V1-R0
- MACOM
-
50:
$822.56
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA101K02EV1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA101K02EV-V1-R250
- MACOM
-
250:
$808.24
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA101K02EV1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA102001EA-V1-R2
- MACOM
-
250:
$170.85
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA102001EA1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA104501EH-V1-R0
- MACOM
-
50:
$522.92
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA104501EH1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA104501EH-V1-R250
- MACOM
-
250:
$497.09
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA104501EH1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA120251EA-V2-R250
- MACOM
-
250:
$42.11
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120251EA2R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA120501EA-V1-R0
- MACOM
-
50:
$60.03
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120501EA1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA120501EA-V1-R250
- MACOM
-
250:
$52.52
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120501EA1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
Puerto Rico
