XPQR3004PB,LXHQ

Toshiba
757-XPQR3004PBLXHQ
XPQR3004PB,LXHQ

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) L-TOGL N-CH 40V 400A

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
$6.83 $6.83
$4.90 $49.00
$3.74 $374.00
$3.64 $3,640.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
$3.58 $5,370.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
L-TOGL-9
N-Channel
1 Channel
40 V
400 A
470 uOhms
- 20 V, 20 V
3 V
295 nC
+ 175 C
750 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Toshiba
Tiempo de caída: 130 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 65 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 395 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 120 ns
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

L-TOGL & S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N-Ch MOSFETs

Toshiba L-TOGL and S-TOGL AEC-Q101 40V/80V/100V N-Channel MOSFETs deliver ultra-low on-resistance, a high drain current rating, and high heat dissipation. This is achieved by combining high heat dissipation packages [L-TOGL (large transistor outline gull-wing leads) and S-TOGL (small transistor outline gull-wing leads)] with the U-MOS IX-H and U-MOS X-H chip processes. Toshiba L-TOGL and S-TOGL MOSFETs also offer high current capability and high heat dissipation to help improve power density in a wide variety of automotive applications. The L-TOGL package is equivalent in size to the existing TO-220SM(W) package. However, XPQR3004PB greatly improves the current rating and significantly lowers the on-resistance to 0.23mΩ typical. L-TOGLs optimized package footprint also helps improve thermal characteristics when compared to the same-sized TO-220SM(W) package.

XPQR3004PB 40V 400A Automotive MOSFET

Toshiba XPQR3004PB 40V MOSFET features an RDS(ON) of 0.23mΩ (typical), 400A capability, and a threshold voltage (Vth) of 2V to 3V. Additional features include +175°C maximum operating temperature and 10µA maximum leakage current (VDS = 40V). Toshiba XPQR3004PB MOSFET is offered in an L-TOGL package, which offers 0.2°C/W thermal impedance and 750W power dissipation. This device is AEC-Q101 certified and ideal for automotive applications, switching voltage regulators, motor drivers, and DC-DC converters.

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