STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 300
Mult.: 300
Carrete: 300

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 2.7 GHz 19 dB 15 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 300
Mult.: 300
Carrete: 300

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 2.7 GHz 18 dB 25 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 300
Mult.: 300
Carrete: 300

N-Channel Si 65 V 1.5 Ohms 3.6 GHz 14.5 dB 8 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel