Ampleon RF e inalámbricos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0TFES/ACC-1230/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TFUG/ACC-1230-6G/T&R
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TFUS/ACC-1230-6F/T&R
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K5TPU/OMP-1230-6F/T&R
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART700FHG/SOT1214/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART800PE/OMP780/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G1819N10DL/LGA-7X7-20/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2022N10DL/LGA-7X7-20/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2327N55D/PQFN/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
: 300