STMicroelectronics RF e inalámbricos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
STMicroelectronics System on a Chip (SoC) RF GSMA eSIM system-on-chip solution for secure IoT applications
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 320
Mult.: 1
STMicroelectronics Herramientas de desarrollo multiprotocolo Dual radio BLE and Sub-1GHz development kit for Sigfox and LPWAN protocol
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Plazo de entrega no en existencias 3 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 16 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Herramientas de desarrollo RF Sub-1GHz (452-527 MHz) transceiver development kit based on S2-LP
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Plazo de entrega no en existencias 3 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
STMicroelectronics Herramientas de desarrollo celular LTE connectivity expansion board for STMod+ connector compatible eval boards
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Plazo de entrega no en existencias 3 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
STMicroelectronics Módulos GNSS / GPS Automotive GNSS dead reckoning module with 6-axis IMU
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

STMicroelectronics Módulos GNSS / GPS Industrial GNSS dead reckoning module with 6-axis IMU
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

STMicroelectronics Herramientas de desarrollo NFC/RFID Dynamic NFC tag expansion board based on M24LR for STM32 Nucleo
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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics System on a Chip (SoC) RF Programmable Bluetooth LE 5.3 Wireless SoC
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Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

STMicroelectronics System on a Chip (SoC) RF Programmable Bluetooth LE 5.3 Wireless SoC
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Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power Trans N-Channel
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
Carrete: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
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No en existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
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No en existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 120
Mult.: 120
Carrete: 120

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
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No en existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 300
Mult.: 300
Carrete: 300

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
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No en existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 300
Mult.: 300
Carrete: 300

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
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No en existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 160
Mult.: 160
Carrete: 160