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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag
- STW45N60DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$8.25
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
357En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STW45N60DM6
|
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 packag
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357En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
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|
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Si
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Through Hole
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TO-247-3
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N-Channel
|
1 Channel
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600 V
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30 A
|
99 mOhms
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- 25 V, 25 V
|
3.25 V
|
44 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
210 W
|
Enhancement
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MDmesh
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Tube
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
- STW3N170
- STMicroelectronics
-
1:
$5.85
-
1,190En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW3N170
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
|
|
1,190En existencias
|
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|
$5.85
|
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|
$4.42
|
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$3.57
|
|
|
$3.18
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$2.72
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Min.: 1
Mult.: 1
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|
Si
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Through Hole
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TO-3PF-3
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N-Channel
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1 Channel
|
1.7 kV
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2.6 A
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13 Ohms
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- 30 V, 30 V
|
3 V
|
44 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
63 W
|
Enhancement
|
PowerMESH
|
Tube
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
- STW75N60DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$10.32
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
390En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW75N60DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
|
|
390En existencias
|
|
|
$10.32
|
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$7.71
|
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|
$6.33
|
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|
$5.84
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|
Ver
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$5.41
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|
Presupuesto
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
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|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
72 A
|
36 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
3.25 V
|
117 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
446 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 51 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
- STW68N65DM6
- STMicroelectronics
-
600:
$5.19
-
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
511-STW68N65DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 51 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 600
Mult.: 600
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
48 A
|
59 mOhms
|
- 25 V, 25 V
|
4.75 V
|
80 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
330 W
|
Enhancement
|
MDmesh
|
Tube
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