Single SiC Semiconductores

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO
Hoja de datos
593En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
Hoja de datos
160En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/70MOSICJFETG3TO
Hoja de datos
387En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/35MOSICJFETG3TO
Hoja de datos
533En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30


onsemi IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
Hoja de datos
417En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

SemiQ Módulos de semiconductores discretos SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
Hoja de datos
549En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
Hoja de datos
834En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Diodos PIN Si CARBIDE DIODE 841En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1,670En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Microchip Technology Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
Hoja de datos
6En existencias
176Se espera el 11/23/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Hoja de datos
1,529En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Infineon Technologies IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Hoja de datos
882En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
Hoja de datos
33En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
Hoja de datos
18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1,758En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1,799En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1,795En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1,975En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
306En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
189En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
240En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1004
Hoja de datos
40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 100

Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1011
Hoja de datos
80En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 100