|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
- XP6NA1R7CMT
- YAGEO XSemi
-
1:
$2.62
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,995En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
603-XP6NA1R7CMT
|
YAGEO XSemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
|
|
2,995En existencias
|
|
|
$2.62
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.922
|
|
|
$0.779
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.854
|
|
|
$0.773
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PMPAK-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7S2R0-40H/SOT1235/LFPAK88
- BUK7S2R0-40HJ
- Nexperia
-
1:
$3.03
-
6,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BUK7S2R0-40HJ
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7S2R0-40H/SOT1235/LFPAK88
|
|
6,000En existencias
|
|
|
$3.03
|
|
|
$1.95
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.09
|
|
|
$0.978
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.946
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
LFPAK-88-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y1R4-40H/SOT669/LFPAK
- BUK7Y1R4-40HX
- Nexperia
-
1:
$2.88
-
6,444En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BUK7Y1R4-40HX
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7Y1R4-40H/SOT669/LFPAK
|
|
6,444En existencias
|
|
|
$2.88
|
|
|
$1.85
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.848
|
|
|
$0.847
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
LFPAK-56-5
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK
- BUK9Y1R3-40HX
- Nexperia
-
1:
$2.91
-
1,253En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y1R3-40HX
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK
|
|
1,253En existencias
|
|
|
$2.91
|
|
|
$1.87
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.866
|
|
|
$0.856
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
LFPAK-56-5
|
|
|
|
Módulos de semiconductores discretos HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
- FF06MR12A04MA2AKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$159.69
-
82En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF06MR12A04MA2AK
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Módulos de semiconductores discretos HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
|
|
82En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
HybridPACK
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
- IPF036N15NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.84
-
1,201En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPF036N15NM6ATMA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
|
|
1,201En existencias
|
|
|
$5.84
|
|
|
$3.89
|
|
|
$2.79
|
|
|
$2.52
|
|
|
$2.39
|
|
|
$2.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-ADVANCE(N) PD=210W F=1MHZ
- TPH2R70AR5,LQ
- Toshiba
-
1:
$3.20
-
3,856En existencias
-
5,000Se espera el 01/27/2027
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
757-TPH2R70AR5LQ
Nuevo producto
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-ADVANCE(N) PD=210W F=1MHZ
|
|
3,856En existencias
5,000Se espera el 01/27/2027
|
|
|
$3.20
|
|
|
$2.08
|
|
|
$1.44
|
|
|
$1.16
|
|
|
$0.917
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.912
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOP-8
|
|
|
|
Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF3MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$273.81
-
17En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF3MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Módulos MOSFET CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
17En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.82
-
347En existencias
-
1,800Se espera el 08/31/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-TC039N15NM5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
347En existencias
1,800Se espera el 08/31/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HDSOP-16
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- IPT039N15N5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.88
-
2,615En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT039N15N5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
2,615En existencias
|
|
|
$6.88
|
|
|
$4.63
|
|
|
$3.35
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.94
|
|
|
$2.94
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=170W F=1MHZ
- TPH2R306NH1,LQ
- Toshiba
-
1:
$2.71
-
814En existencias
-
10,000Se espera el 11/16/2026
|
N.º de artículo de Mouser
757-TPH2R306NH1LQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=170W F=1MHZ
|
|
814En existencias
10,000Se espera el 11/16/2026
|
|
|
$2.71
|
|
|
$1.74
|
|
|
$1.19
|
|
|
$1.01
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.796
|
|
|
$0.887
|
|
|
$0.839
|
|
|
$0.796
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOP-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
- IRF1404ZSTRLPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$2.77
-
167En existencias
-
3,200Se espera el 02/11/2027
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRF1404ZSTRLPBF
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
|
|
167En existencias
3,200Se espera el 02/11/2027
|
|
|
$2.77
|
|
|
$1.78
|
|
|
$1.22
|
|
|
$0.924
|
|
|
$0.924
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
- RBA190N15YANS-3UA04#GB0
- Renesas Electronics
-
2,000:
$2.72
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
968-0N15YANS3UA04GB0
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
TOLL
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
- RBA190N15YAPF-6UA04#KB0
- Renesas Electronics
-
1,300:
$3.43
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
968-0N15YAPF6UA04KB0
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
Min.: 1,300
Mult.: 1,300
:
1,300
|
|
MOSFETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
TOLT
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
- RBE039N15R1SZPW#KB0
- Renesas Electronics
-
1,300:
$3.36
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
968-E039N15R1SZPWKB0
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
Min.: 1,300
Mult.: 1,300
:
1,300
|
|
MOSFETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
TOLT
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
- RBE039N15R1SZQ4#GB0
- Renesas Electronics
-
2,000:
$2.70
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
968-E039N15R1SZQ4GB0
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
:
2,000
|
|
MOSFETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
TOLL
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- PJD80N04S-AU_L2_002A1
- Panjit
-
3,000:
$1.79
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
241-PJD80N04SAUL22A1
|
Panjit
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252AA-2
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- PJQ5560A-AU_R2_002A1
- Panjit
-
3,000:
$1.22
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5560AAUR22A1
|
Panjit
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DFN-5060-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- IPTG039N15NM5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1,800:
$2.75
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-TG039N15NM5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1,800
Mult.: 1,800
:
1,800
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOG-8
|
|
|
|
Módulos MOSFET ISOPLUS 100V 190A 3-PH BRIDGE
- MTI145WX100GD-SMD
- IXYS
-
104:
$63.28
-
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
747-MTI145WX100GDSMD
|
IXYS
|
Módulos MOSFET ISOPLUS 100V 190A 3-PH BRIDGE
|
|
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
|
|
Min.: 104
Mult.: 104
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
SMD/SMT
|
ISOPLUS-DIL-17
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 190A, HSOP8, Power MOSFET
- RS6L120CHTB1
- ROHM Semiconductor
-
2,500:
$1.07
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
755-RS6L120CHTB1
Nuevo producto
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 190A, HSOP8, Power MOSFET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOP-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 190A 4 mOhm Automotive MOSFET
- AUIRFS4010-7TRL
- Infineon Technologies
-
1:
$8.66
-
Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
942-AUIRFS4010-7TRL
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 190A 4 mOhm Automotive MOSFET
|
|
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
|
|
|
$8.66
|
|
|
$6.10
|
|
|
$4.94
|
|
|
$4.13
|
|
|
$3.88
|
Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|