Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Resultados: 451
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN 3,256En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 133 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40.7 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8 1,995En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 133 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40.7 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SO8FL 1,145En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 34 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL 1,617En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 93 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33.7 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET 2,713En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 71 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG 1,891En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 71 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 61 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET 2,531En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET 5,782En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL IN SO8FL 4,720En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET 2,603En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 25 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 5 nC - 55 C + 175 C 28 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL 3,648En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 316 A 870 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO 1,500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL NCH 1,705En existencias
6,000Se espera el 03/30/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000
Si SMD/SMT PQFN-88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 553.8 A 400 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 341 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION 429En existencias
3,000Se espera el 01/01/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000
Si SMD/SMT Power88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 533 A 480 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 187 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL NCH 21En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 464 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 225 nC - 55 C + 175 C 294.6 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel 11,812En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 49 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 10 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V 4,415En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 27 A 17.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6.3 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH 2,418En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 30 V 102 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF 3,242En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 85 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL 8,979En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 26 A 11.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 3.8 nC - 55 C + 175 C 20 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL 15,280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 6 nC - 55 C + 175 C 20 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET 1,148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 235 A 1.3 mOhms 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL 1,350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.7 mOhms 20 V 3.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel, Cut Tape