Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
IXYS Módulos MOSFET 650V/108A Ultra Junction X2-Class
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254En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
Hoja de datos
1,727En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Hoja de datos
739En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS
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239En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
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260En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
267En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
172En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs 650V/310A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Hoja de datos
214En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX4 XPT IGBT
Hoja de datos
327En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT
Hoja de datos
328En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
Hoja de datos
400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Screw Mount SOT-227B-4
IXYS IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
Hoja de datos
581En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
IXYS IGBTs 1700V/108A High Voltage XPT IGBT
Hoja de datos
79En existencias
870Se espera el 05/07/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3

Littelfuse SCR SENSITIVE GATE SCR
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6,844En existencias
MouseReel Disponible
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Carrete: 1,000

SCRs SMD/SMT SOT-223
Littelfuse SCR 10A 600V Sensing
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2,181En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 45 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 150V 0.016 Rds
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390En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 30A
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1,733En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A
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1,197En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A
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370En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 300V 72A N-CH X3CLASS
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974En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds
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170En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V 1 Rds
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636En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
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831En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
Hoja de datos
837En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs TO247 2500V 16A IGBT
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287En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3