TO-247-3 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
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315En existencias
Min.: 1
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
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3,454En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Máx.: 480

Vishay Semiconductors SCR NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248
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973En existencias
Min.: 1
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Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC
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512En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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343En existencias
1,200En pedido
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
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23,388En existencias
Min.: 1
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Bourns Diodos Schottky de SiC 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3
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2,918En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
Hoja de datos
5,930En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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2,626En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC 20MW 1200V
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893En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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IXYS IGBTs IXYH55N120C4H1
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629En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
639En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V
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1,473En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT
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1,050En existencias
30Se espera el 09/14/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650V 75A 27.4mOhm
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1,256En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM
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1,907En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
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2,423En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Littelfuse Rectificadores y diodos Schottky 2x 20A 100V Rectifier
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7,662En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
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7,800En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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1,138En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
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1,352En existencias
Min.: 1
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Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC
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886En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -44 Amps -150V 0.065 Rds
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3,458En existencias
Min.: 1
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
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1,090En existencias
Min.: 1
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 650V TO247
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827En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1