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PowerMESH Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp

STGB20NB41LZT4
STMicroelectronics
1: $3.87
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
1,561En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB20NB41LZT4

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511-STGB20NB41LZ

STMicroelectronics

IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp

Hoja de datos

1,561En existencias

Cinta cortada

$3.87

$2.54

$1.79

$1.59

Envase tipo carrete

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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

STE53NC50
STMicroelectronics
1: $39.23
199En existencias

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STE53NC50

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511-STE53NC50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

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199En existencias

$39.23

$31.06

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Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

ISOTOP-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

STP3N150
STMicroelectronics
1: $5.21
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STP3N150

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511-STP3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

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1,156En existencias

$5.21

$2.93

$2.67

$2.43

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Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

STE40NC60
STMicroelectronics
1: $40.66
146En existencias

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STE40NC60

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511-STE40NC60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

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146En existencias

$40.66

$32.91

$30.18

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

ISOTOP-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

STFW3N150
STMicroelectronics
1: $4.51
1,625En existencias
900Se espera el 03/27/2026

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N150

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511-STFW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

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1,625En existencias

900Se espera el 03/27/2026

$4.51

$2.94

$2.06

$1.86

$1.78

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

STFW3N170
STMicroelectronics
1: $6.11
551En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N170

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

Hoja de datos

551En existencias

$6.11

$3.59

$3.00

$2.99

$2.86

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT

STGD6NC60H-1
STMicroelectronics
1: $1.79
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4,058En existencias

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STGD6NC60H-1

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511-STGD6NC60H-1

STMicroelectronics

IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT

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Comentarios de Producto

4,058En existencias

$1.79

$0.813

$0.73

$0.61

Ver

Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.

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IGBT Transistors

Through Hole

IPAK-3

IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp

STGD7NB60ST4
STMicroelectronics
1: $2.86
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STGD7NB60ST4

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511-STGD7NB60ST4

STMicroelectronics

IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp

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Cinta cortada

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$1.85

$1.28

$1.06

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MouseReel Disponible

Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.

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Mult.: 1

Carrete: 2,500

IGBT Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

IGBTs N-CHANNEL IGBT

STGW30NC120HD
STMicroelectronics
1: $5.37
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2,808En existencias

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STGW30NC120HD

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511-STGW30NC120HD

STMicroelectronics

IGBTs N-CHANNEL IGBT

Hoja de datos

2,808En existencias

$5.37

$3.15

$2.61

$2.47

$2.43

Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

STH3N150-2
STMicroelectronics
1: $6.02
1,795En existencias
2,000Se espera el 04/13/2026

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STH3N150-2

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511-STH3N150-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

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1,795En existencias

2,000Se espera el 04/13/2026

Cinta cortada

$6.02

$4.04

$2.91

$2.88

Envase tipo carrete

$2.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

H2PAK-2

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET

STP4N150
STMicroelectronics
1: $5.85
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1,487En existencias

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STP4N150

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET

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1,487En existencias

$5.85

$3.09

$2.82

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MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

STW3N150
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1: $5.20
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3,396En existencias

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STW3N150

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511-STW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

Hoja de datos

3,396En existencias

$5.20

$2.92

$2.42

$2.40

$2.21

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MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package

STW3N170
STMicroelectronics
1: $6.03
1,190En existencias

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STW3N170

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511-STW3N170

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package

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1,190En existencias

$6.03

$3.55

$2.96

$2.82

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

STW9N150
STMicroelectronics
1: $9.48
584En existencias

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STW9N150

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511-STW9N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

Hoja de datos

584En existencias

$9.48

$5.59

$4.91

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Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

STFW4N150
STMicroelectronics
1: $6.56
199En existencias
1,200En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STFW4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

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Hoja de datos

199En existencias

1,200En pedido

$6.56

$3.87

$3.23

$3.13

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp

STGE200NB60S
STMicroelectronics
1: $25.98
30En existencias
70Se espera el 04/06/2026

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STGE200NB60S

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511-STGE200NB60S

STMicroelectronics

Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp

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30En existencias

70Se espera el 04/06/2026

$25.98

$19.43

$18.62

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Through Hole

ISOTOP-4

IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT

STGF7NB60SL
STMicroelectronics
1: $2.18
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
1,004En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STGF7NB60SL

N.º de artículo de Mouser
511-STGF7NB60SL

STMicroelectronics

IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT

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1,004En existencias

2,000En pedido

$2.18

$1.06

$0.948

$0.852

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Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220-3 FP

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh

STW4N150
STMicroelectronics
1: $7.23
408En existencias
600Se espera el 03/26/2026

N.º de artículo del Fabricante
STW4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh

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Hoja de datos

408En existencias

600Se espera el 03/26/2026

$7.23

$4.17

$3.50

$3.43

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

IGBTs N Ch 10A 600V

STGD10NC60HT4
STMicroelectronics
2,500: $0.612
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STGD10NC60HT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGD10NC60HT4

STMicroelectronics

IGBTs N Ch 10A 600V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

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$0.612

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

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IGBT Transistors

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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