STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
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33En existencias
61En pedido
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SiC MOSFETS Through Hole STPAK-4 N-Channel
STMicroelectronics IGBTs SLLIMM compact series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
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57En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Máx.: 10

IGBTs Through Hole CDIPB-26L
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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310En existencias
1,200En pedido
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
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3,490En existencias
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: 3,000

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerFLAT (5x5) N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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5,857En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
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2,439En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
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173En existencias
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: 200

MOSFETs Si N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
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459En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
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576En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
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2,368En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
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11,058En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole ISOWATT-218FX-3 NPN
STMicroelectronics Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
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760En existencias
Min.: 1
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MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
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38,107En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
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4,453En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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1,533En existencias
Min.: 1
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
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63En existencias
Min.: 1
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IGBT Modules Si Through Hole SDIPHP-30
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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1,332En existencias
Min.: 1
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
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41,498En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
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2,383En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistores Darlington DARLINGTON TRAN
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15,421En existencias
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Darlington Transistors Through Hole SOT-32 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington PNP Power Darlington
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4,598En existencias
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Mult.: 1

Darlington Transistors Through Hole TO-220-3 FP PNP

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Curr High Spd
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1,250En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-247-3 NPN
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RF POWER transistor, N-channel enhancement-mode, lateral Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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498En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerSO-10RF-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
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1,402En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
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1,094En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel