Vishay IRFR/U Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 400V 1.8 Amp
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5,051En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 400 V 1.8 A 7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 400V 1.8 Amp
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16,175En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 400 V 1.8 A 7 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 2.0 Amp
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7,212En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 3.1 Amp
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3,495En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 400 V 3.1 A 1.8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 7.7 Amp
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3,106En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V 4.3 Amp
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36En existencias
2,000Se espera el 02/16/2026
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 200V 4.8 Amp
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2,655En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 4.8 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET
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2,496En existencias
1,500Se espera el 02/23/2026
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 200 V 3.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 2A N-CH
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2,710En existencias
3,000Se espera el 03/23/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 200V 4.8A N-CH MOSFET
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2,452En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 200 V 4.8 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 60V 5.1 Amp
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1,332En existencias
3,000Se espera el 02/19/2026
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 P-Channel 1 Channel 60 V 5.1 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 7.7A
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2,511En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET
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1,859En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 1.4 Amp
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1,324En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 1.4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 1.7 Amp
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1,509En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 1.7 A 3.6 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
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2,997En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 7.7 Amp
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2,435En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 N-CH 60V 14A
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1,646En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 60 V 14 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 1.7 Amp
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567En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 400 V 1.7 A 3.6 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 100V 5.6 Amp
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176En existencias
6,000En pedido
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si Through Hole TO-251-3 P-Channel 1 Channel 100 V 5.6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 100V 3.1 Amp
Hoja de datos
5,988Se espera el 04/06/2026
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 P-Channel 1 Channel 100 V 3.1 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.7 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 5.6A P-CH MOSFET
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2,778Se espera el 10/05/2026
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 5.6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 250V 2.7 Amp
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11,913En pedido
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 250 V 2.7 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 2.7A P-CH MOSFET
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6,000Se espera el 10/12/2026
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 250 V 2.7 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 2.7A P-CH MOSFET
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7,900Se espera el 10/12/2026
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Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 250 V 2.7 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel