Vishay IRFR/U Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 100V 4.3A N-CH MOSFET
Hoja de datos
9,000Se espera el 10/05/2026
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay / BC Components Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 60V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / BC Components Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 60V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Si Reel
Vishay / BC Components Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 60V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 200V 2.6 Amp
Hoja de datos
Comentarios de Producto
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si Reel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 3.3 Amp
Hoja de datos
Comentarios de Producto
No en existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 5.0 Amp
Hoja de datos
No en existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 50V
Hoja de datos
Comentarios de Producto
No en existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
No en existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel
Vishay / BC Components Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si Reel, Cut Tape
Vishay / BC Components Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel, Cut Tape
Vishay / BC Components Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Comentarios de Producto
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel, Cut Tape