2047 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch ENH Mode FET -20V -6
Hoja de datos
25,238En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT U-WLB1010-4 P-Channel 1 Channel 20 V 4.1 A 40 mOhms - 6 V, 6 V 800 mV 2.3 nC - 55 C + 150 C 1.66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4.7A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Hoja de datos
474En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4.7 A 990 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 22.5 W Enhancement Tube