IRFBF Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET
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9,533En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 900V 1.7 Amp
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1,472En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET
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2En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 3.6 A 3.7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET
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Comentarios de Producto
2,580En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 900V 1.7 Amp
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337En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 900V 1.7A N-CH MOSFET
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828En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 900V 1.7 Amp
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285En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / BC Components Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 900V
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No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800

Si
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET
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N/A
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 3.6 A 3.7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / BC Components Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 900V
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No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Tube
Vishay / BC Components Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 900V 3.6A N-CH MOSFET
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No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si Reel, Cut Tape