.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

MOSIX Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 8

Filtros aplicados:

Nombre comercial = MOSIX

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK2K2A60F,S4X
Toshiba
1: $1.63
340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK2K2A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK2K2A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Obtenga más información

Hoja de datos

340En existencias

$1.63

$0.86

$0.678

$0.501

$0.426

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

3.5 A

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK1K0A60F,S4X
Toshiba
1: $1.87
189En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK1K0A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK1K0A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Obtenga más información

Hoja de datos

189En existencias

$1.87

$0.896

$0.873

$0.635

$0.569

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7.5 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A

TK750A60F,S4X
Toshiba
1: $2.83
455En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK750A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK750A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A

Obtenga más información

Hoja de datos

455En existencias

$2.83

$1.41

$1.26

$1.02

$1.01

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A

TK1K2A60F,S4X
Toshiba
1: $1.78
228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK1K2A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK1K2A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A

Obtenga más información

Hoja de datos

228En existencias

$1.78

$0.85

$0.815

$0.544

$0.532

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

21 nC

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK4K1A60F,S4X
Toshiba
1: $1.38
243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4K1A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK4K1A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Obtenga más información

Hoja de datos

243En existencias

$1.38

$0.647

$0.594

$0.449

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

2 A

4.1 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

8 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A

TK650A60F,S4X
Toshiba
1: $2.14
277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK650A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK650A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A

Obtenga más información

Hoja de datos

277En existencias

$2.14

$1.04

$1.03

$0.743

$0.689

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

650 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

34 nC

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK1K7A60F,S4X
Toshiba
1: $1.60
347En pedido

N.º de artículo del Fabricante
TK1K7A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK1K7A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Obtenga más información

Hoja de datos

347En pedido

$1.60

$0.762

$0.661

$0.535

$0.462

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

1.7 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A

TK1K9A60F,S4X
Toshiba
1: $1.60
Plazo de entrega 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK1K9A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK1K9A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 17 Semanas

$1.60

$0.656

$0.562

$0.471

$0.462

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

3.7 A

1.9 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

14 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MOSIX

Tube

MOSIX Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte