RF Power MOSFET Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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1,533En existencias
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N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 11.5 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
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90En existencias
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GaAs 440 mA to 800 mA 8 V 12 GHz 9 dB 32 dBm + 150 C Die Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
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3,490En existencias
MouseReel Disponible
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: 3,000

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 15 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerFLAT (5x5) Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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5,857En existencias
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N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
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524En existencias
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N-Channel Si 500 mA 65 V 500 MHz 18 dB 2 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 305A-01 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<175MHz,50V,150W,CuMollyPkg
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260En existencias
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N-Channel Si 16 A 125 V 175 MHz 13 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount 244-4 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB
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340En existencias
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N-Channel Si 16 A 65 V 400 MHz 12 dB 100 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 744A-01 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Matched pair Transistors
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408En existencias
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N-Channel Si 16 A 125 V 150 MHz 17 dB 150 W + 200 C SMD/SMT 221-11-3
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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1,332En existencias
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N-Channel Si 4 A 40 V 1 GHz 17 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
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61En existencias
75Se espera el 10/26/2026
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N-Channel Si 16 A 180 V 175 MHz 22 dB 150 W - 65 C + 150 C Screw Mount
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
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228En existencias
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N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
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3En existencias
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: 10

N-Channel GaAs 28 GHz 15 dB 24.5 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
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50En existencias
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N-Channel Si 30 A 1 kV 40 MHz 17 dB 750 W - 55 C + 175 C Screw Mount
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB
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8En existencias
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N-Channel Si 60 A 125 V 80 MHz 21 dB 600 W - 65 C + 150 C SMD/SMT Tray

Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
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63En existencias
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N-Channel Si 14 A 500 V 65 MHz 13 dB 150 W - 55 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS
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67En existencias
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N-Channel Si 13 A 65 V 200 MHz 9 dB 125 W - 65 C + 200 C Screw Mount 211-07
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
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100En existencias
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GaAs 250 mA to 300 mA 8 V 18 GHz 11 dB 30 dBm + 150 C Die Bulk
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
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573En existencias
MouseReel Disponible
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: 600

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
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5En existencias
360En pedido
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N-Channel Si 900 mA 65 V 400 MHz 11 dB 5 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 211-07-3 Tray

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
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6En existencias
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: 10
N-Channel GaAs 18 GHz 12 dB 30 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape


MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz
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17En existencias
Min.: 1
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N-Channel Si 4 A 65 V 30 MHz to 90 MHz 13 dB 8 W + 200 C Screw Mount
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
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4En existencias
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N-Channel Si 8 A 1 kV 40 MHz 17 dB 750 W - 55 C + 175 C Screw Mount
Toshiba Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
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420En existencias
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: 1,000

N-Channel Si 3 A 12 V 470 MHz 11.5 dB 36.5 dBm + 150 C SMD/SMT PW-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
CML Micro MWT-PH27F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
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1En existencias
Min.: 1
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: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 16 dB 25 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
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110En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 120

N-Channel Si 2.5 A 110 V 1 Ohms 1 GHz 19 dB 400 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel