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SQS850EN-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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Mouser N.º:

78-SQS850EN-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQS850EN-T1_GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

Hoja de datos:

SQS850EN-T1_GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-1212-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	18 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	41 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	33 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Bulk
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	33 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9.6 ns
Serie:	SQS
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns
Peso de la unidad:	1 g

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Hoja de datos

SQS850EN-T1_GE3 Hoja de datos

Application Notes

PowerPAK 1212-8, The Proven Automotive Package

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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