OptiMOS™ PD (Power Delivery) MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ PD (Power Delivery) MOSFETs are ideal for USB-PD and fast-charger designs, supporting short lead and quick-quote response times. The logic-level MOSFETs in PQFN 3.3mm x 3.3mm and SuperSO8 packages have been optimized for synchronous rectification in charger and adapter 25V to 150V SMPS applications. The logic-level drive provides a low gate threshold voltage (VGS(th)), allowing low- and medium-voltage MOSFETs to be driven from 4.5V or directly from microcontrollers, leading to a lower part count in the application.

Resultados: 6
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 8,119En existencias
Cinta cortada
$2.14
$1.04
$0.924
$0.745
Ver
Envase tipo carrete
$0.609
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7.8 mOhms 20 V 2.3 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 5,924En existencias
Cinta cortada
$1.98
$0.95
$0.849
$0.672
Ver
Envase tipo carrete
$0.547
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 86 A 4.5 mOhms 20 V 2.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 699En existencias
25,000En pedido
Cinta cortada
$1.79
$0.99
$0.751
$0.591
Envase tipo carrete
$0.45
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 56 A 7.3 mOhms 20 V 2.3 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
25,005En pedido
Cinta cortada
$1.93
$1.07
$0.817
$0.673
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Envase tipo carrete
$0.50
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.7 mOhms 20 V 2.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Envase tipo carrete
$0.932
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.6 mOhms 20 V 2.3 V 29 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Envase tipo carrete
$0.612
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 71 A 7.8 mOhms 20 V 2.3 V 13 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel