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1.4 V
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SMD/SMT
SOT-223-4
N-Channel
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400 V
170 mA
14.3 Ohms
20 V
1.9 V
4.54 nC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
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SMD/SMT
SOT-23-3
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1 Channel
100 V
190 mA
2.406 Ohms
20 V
1.3 V
600 pC
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BSS214NWH6327XTSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
99,547 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
20 V
1.5 A
106 mOhms
12 V
950 mV
800 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
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BSS306NH6327XTSA1
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N.º de artículo de Mouser
726-BSS306NH6327
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
48,790 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
30 V
2.3 A
57 mOhms
20 V
1.6 V
1.5 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
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BSS806NEH6327XTSA1
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N.º de artículo de Mouser
726-BSS806NEH6327XTS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
28,127 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
20 V
2.3 A
41 mOhms
8 V
550 mV
1.7 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
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AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
BSS816NWH6327XTSA1
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726-SP000917562
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 1.4A SOT-323-3
123,845 En existencias
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Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
20 V
1.4 A
107 mOhms
8 V
550 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
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AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH
BSL202SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
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726-BSL202SNH6327XTS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL+N-CH
5,992 En existencias
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Mult.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TSOP-6
N-Channel
1 Channel
20 V
7.5 A
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12 V
950 mV
5.8 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3
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BSP373NH6327XTSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-BSP373NH6327XTSA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 1.8A SOT-223-3
65 En existencias
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Mult.: 1
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1,000
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Si
SMD/SMT
SOT-223-4
N-Channel
1 Channel
100 V
1.8 A
177 mOhms
20 V
2.1 V
6.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.8 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
+2 imágenes
2N7002DWH6327XT
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-2N7002DWH6327SA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
191 En existencias
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Mult.: 1
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Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
60 V
300 mA
1.6 Ohms
20 V
1.5 V
600 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
+2 imágenes
2N7002 H6327
Infineon Technologies
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19,077 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-2N7002H6327
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
19,077 En existencias
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Mult.: 1
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
60 V
300 mA
1.6 Ohms
20 V
1.5 V
600 pC
- 55 C
+ 150 C
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AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2
+2 imágenes
BSD223PH6327XTSA1
Infineon Technologies
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726-BSD223PH6327XTSA
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch DPAK-2
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Si
SMD/SMT
SOT-363-6
P-Channel
2 Channel
20 V
390 mA
1.2 Ohms
12 V
600 mV
500 pC
- 55 C
+ 150 C
250 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
+2 imágenes
BSD235NH6327XT
Infineon Technologies
1:
$0.67
1,985 En existencias
153,000 En pedido
N.º de artículo de Mouser
726-BSD235NH6327XTSA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
20 V
950 mA
266 mOhms, 415 mOhms
12 V
950 mV
320 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel