Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

600V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 600V Single N-channel power MOSFETs incorporate super-junction technology and operate within the -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and halogen-free. Typical applications include lighting, industrial, and switching applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 29

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC980CP ROG Taiwan Semiconductor 1: $2.07 4,477En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC980CP ROG N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC980CPROG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	4,477En existencias	Cinta cortada $2.07 $0.994 $0.889 $0.705 $0.647 Envase tipo carrete $0.581 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	4 A	980 mOhms	20 V	5 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	57 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC1R5CP ROG Taiwan Semiconductor 1: $1.84 5,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC1R5CP ROG N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC1R5CPROG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	5,000En existencias	Cinta cortada $1.84 $0.875 $0.781 $0.616 Envase tipo carrete $0.505 Ver $0.574 $0.492 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	3 A	1.5 Ohms	20 V	5.5 V	8.1 nC	- 55 C	+ 150 C	55 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC390CP ROG Taiwan Semiconductor 1: $3.39 4,774En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC390CP ROG N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC390CPROG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	4,774En existencias	Cinta cortada $3.39 $1.70 $1.53 $1.25 $1.22 Envase tipo carrete $1.14 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	390 mOhms	20 V	5 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC1R5CH C5G Taiwan Semiconductor 1: $1.84 3,658En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC1R5CH C5G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC1R5CHC5G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	3,658En existencias	$1.84 $0.875 $0.781 $0.616 Ver $0.574 $0.524 $0.503 $0.492	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	600 V	3 A	1.5 Ohms	20 V	4.3 V	7.6 nC	- 55 C	+ 150 C	39 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC390CI C0G Taiwan Semiconductor 1: $3.66 3,890En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC390CI C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC390CIC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 11A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	3,890En existencias	$3.66 $1.85 $1.67 $1.36 Ver $1.35 $1.27	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	ITO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	11 A	390 mOhms	20 V	5 V	21.3 nC	- 55 C	+ 150 C	78 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC620CI C0G Taiwan Semiconductor 1: $2.91 3,713En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC620CI C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC620CIC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	3,713En existencias	$2.91 $1.88 $1.30 $1.05 Ver $0.96 $0.922	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	ITO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	4 A	980 mOhms	20 V	5 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	57 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 42A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE084PW C0G Taiwan Semiconductor 1: $10.81 287En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE084PW C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE084PWC2G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 42A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	287En existencias	$10.81 $6.01 $5.40	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	42 A	84 mOhms	30 V	6 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	357 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE145CIT C0G Taiwan Semiconductor 1: $6.15 1,979En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE145CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE145CITC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	1,979En existencias	$6.15 $3.24 $2.96 $2.55	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	ITO-220TL-3	N-Channel	1 Channel	600 V	14.5 A	145 mOhms	30 V	6 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 13A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE180CIT C0G Taiwan Semiconductor 1: $5.69 1,988En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE180CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE180CITC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 13A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	1,988En existencias	$5.69 $2.98 $2.71 $2.30	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	ITO-220TL-3	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	180 mOhms	30 V	6 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 9.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE285CIT C0G Taiwan Semiconductor 1: $4.37 1,982En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE285CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE285CITC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 9.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	1,982En existencias	$4.37 $2.24 $2.03 $1.67 $1.61	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	ITO-220TL-3	N-Channel	1 Channel	600 V	9.5 A	285 mOhms	30 V	6 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	56 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 61A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE048PW C0G Taiwan Semiconductor 1: $15.53 298En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE048PW C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE048PWC2G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 61A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	298En existencias	$15.53 $10.92 $8.60	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	61 A	48 mOhms	30 V	6 V	114 nC	- 55 C	+ 150 C	431 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 51A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE069PW C0G Taiwan Semiconductor 1: $12.26 300En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE069PW C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE069PWC2G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 51A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	300En existencias	$12.26 $6.90 $6.37	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	51 A	69 mOhms	30 V	6 V	86 nC	- 55 C	+ 150 C	417 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE200CIT C0G Taiwan Semiconductor 1: $5.17 1,984En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE200CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE200CITC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	1,984En existencias	$5.17 $3.43 $2.44 $2.02 $2.01	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	ITO-220TL-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	200 mOhms	30 V	6 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC620CH C5G Taiwan Semiconductor 1: $2.66 2,547En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC620CH C5G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC620CHC5G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	2,547En existencias	$2.66 $1.33 $1.17 $0.952 Ver $0.898 $0.872 $0.811 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	600 V	7 A	620 mOhms	20 V	5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	78 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC620CP ROG Taiwan Semiconductor 1: $2.56 7,500En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC620CP ROG N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC620CPROG	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 7A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	7,500En existencias	Cinta cortada $2.56 $1.25 $1.13 $0.898 $0.874 Envase tipo carrete $0.777 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	7 A	620 mOhms	20 V	5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	78 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET TSM60NC980CH C5G Taiwan Semiconductor 1: $2.07 3,747En existencias	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC980CH C5G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC980CHC5G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	3,747En existencias	$2.07 $1.32 $0.89 $0.705 Ver $0.646 $0.573	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	600 V	4 A	980 mOhms	20 V	5 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	57 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NC165CF C0G Taiwan Semiconductor 4,000: $1.97 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos. Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC165CF C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC165CFC0G Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	Cinta cortada $1.97 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 4,000 Mult.: 2,000 : 2,000	Si	Through Hole	ITO-220S-3	N-Channel	1 Channel	600 V	14 A	165 mOhms	20 V, 30 V	5 V	48 nC	- 55 C	+ 150 C	81 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NC165CIT C0G Taiwan Semiconductor 4,000: $1.95 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos. Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC165CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC165CITC0G Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	Cinta cortada $1.95 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 4,000 Mult.: 2,000 : 2,000	Si	Through Hole	ITO-220S-3	N-Channel	1 Channel	600 V	14 A	165 mOhms	20 V, 30 V	5 V	48 nC	- 55 C	+ 150 C	81 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NC196CF C0G Taiwan Semiconductor 4,000: $1.75 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos. Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC196CF C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC196CFC0G Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	Cinta cortada $1.75 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 4,000 Mult.: 2,000 : 2,000	Si	Through Hole	ITO-220S-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	165 mOhms	20 V, 30 V	5 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NC196CIT C0G Taiwan Semiconductor 4,000: $1.30 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos. Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TSM60NC196CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NC196CITC0G Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	Cinta cortada $1.30 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 4,000 Mult.: 2,000 : 2,000	Si	Through Hole	ITO-220TL-3	N-Channel	1 Channel	600 V	12 A	196 mOhms	20 V, 30 V	5 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 21A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE084CIT C0G Taiwan Semiconductor 4,000: $4.95 Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE084CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE084CITC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 21A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas	$4.95	Min.: 4,000 Mult.: 2,000	Si	Through Hole	ITO-220TL-3	N-Channel	1 Channel	600 V	21 A	84 mOhms	30 V	6 V	69 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 24A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE069CIT C0G Taiwan Semiconductor 4,000: $5.90 Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE069CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE069CITC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 24A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas	$5.90	Min.: 4,000 Mult.: 2,000	Si	Through Hole	ITO-220TL-3	N-Channel	1 Channel	600 V	24 A	69 mOhms	30 V	6 V	89 nC	- 55 C	+ 150 C	89 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 47A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), TOLL TSM60NE084TL RAG Taiwan Semiconductor 4,000: $4.00 Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE084TL RAG N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE084TLRAG Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 47A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), TOLL Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas	Cinta cortada $4.00	Min.: 4,000 Mult.: 2,000 : 2,000	Si	SMD/SMT	TOLL-8	N-Channel	1 Channel	600 V	47 A	84 mOhms	20 V	6 V	69 nC	- 55 C	+ 150 C	431 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 27A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), PDFN88 TSM60NE110CE RVG Taiwan Semiconductor 6,000: $3.04 Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE110CE RVG N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE110CERVG Nuevo producto	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 27A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET), PDFN88 Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas	Cinta cortada $3.04	Min.: 6,000 Mult.: 3,000 : 3,000	Si	SMD/SMT	PDFN88-4	N-Channel	1 Channel	600 V	27 A	110 mOhms	30 V	6 V	56 nC	- 55 C	+ 150 C	178 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 17A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSM60NE110CIT C0G Taiwan Semiconductor 4,000: $3.83 Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas	N.º de artículo del Fabricante TSM60NE110CIT C0G N.º de artículo de Mouser 821-TSM60NE110CITC0G	Taiwan Semiconductor	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 17A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Obtenga más información sobre Taiwan Semiconductor taiwan 600v n ch power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas	$3.83	Min.: 4,000 Mult.: 2,000	Si	Through Hole	ITO-220TL-3	N-Channel	1 Channel	600 V	17 A	110 mOhms	30 V	6 V	55 nC	- 55 C	+ 150 C	73 W	Enhancement	AEC-Q101	Tube