Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPF031N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.26 718En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF031N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF031N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	718En existencias	Cinta cortada $7.26 $4.90 $3.56 Envase tipo carrete $3.16	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO263-7	N-Channel	1 Channel	135 V	207 A	3.1 mOhms	20 V	3.5 V	104 nC	- 55 C	+ 175 C	294 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPF021N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $9.10 1,603En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPF021N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPF021N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	1,603En existencias	Cinta cortada $9.10 $5.35 $4.97 $4.89 Envase tipo carrete $4.70	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,000	Si	SMD/SMT	TO263-7	N-Channel	1 Channel	135 V	250 A	2.1 mOhms	20 V	3.5 V	160 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.53 2,362En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT020N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT020N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	2,362En existencias	Cinta cortada $7.53 $4.04 $3.71 $3.54 $3.35 Envase tipo carrete $3.35	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si															Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTG020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.40 1,114En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPTG020N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTG020N13NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	1,114En existencias	Cinta cortada $7.40 $3.97 $3.63 $3.46 $3.27 Envase tipo carrete $3.27	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	135 V	297 A	2 mOhms	20 V	3.5 V	159 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTG029N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.46 1,695En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPTG029N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTG029N13NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	1,695En existencias	Cinta cortada $6.46 $4.34 $3.31 Envase tipo carrete $2.70	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	135 V	212 A	2.9 mOhms	20 V	3.5 V	104 nC	- 55 C	+ 175 C	294 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC037N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.09 5,492En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC037N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC037N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	5,492En existencias	Cinta cortada $6.09 $3.21 $2.93 $2.67 Ver Envase tipo carrete $2.52 $2.57 $2.52 $2.52	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSON-8	N-Channel	1 Channel	135 V	172 A	3.7 mOhms	20 V	3.5 V	82 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISC046N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.83 3,432En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC046N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC046N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	3,432En existencias	Cinta cortada $5.83 $3.05 $2.79 $2.52 Ver Envase tipo carrete $2.38 $2.43 $2.38 $2.38	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	135 V	142 A	4.6 mOhms	20 V	3.5 V	65 nC	- 55 C	+ 175 C	211 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPP073N13NM6AKSA1 Infineon Technologies 1: $4.46 290En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP073N13NM6AKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP073N13NM6AKSA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	290En existencias	$4.46 $2.28 $2.07 $1.81 $1.64	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	135 V	98 A	7.3 mOhms	20 V	3.5 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	158 W	Enhancement	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPTC020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.59 37En existencias 1,800Se espera el 05/13/2027	N.º de artículo del Fabricante IPTC020N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC020N13NM6ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	37En existencias 1,800Se espera el 05/13/2027	Cinta cortada $8.59 $4.67 $4.29 $4.22 $4.07 Envase tipo carrete $3.94	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	135 V	297 A	2 mOhms	20 V	3.5 V	159 nC	- 55 C	+ 175 C	395 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V ISZ143N13NM6ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.44 5,000Se espera el 10/08/2026	N.º de artículo del Fabricante ISZ143N13NM6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISZ143N13NM6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V	Hoja de datos	5,000Se espera el 10/08/2026	Cinta cortada $2.44 $1.55 $1.05 $0.845 $0.804 Envase tipo carrete $0.68 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	135 V	54 A	14.3 mOhms	20 V	3.5 V	21 nC			95 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel

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