|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL N-Channel PowerTrench
- FDBL86561-F085
- onsemi
-
1:
$6.88
-
3,587En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86561F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 300A, 0.85mO, TO-LL<BR> N-Channel PowerTrench
|
|
3,587En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-LL8-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
300 A
|
2.2 mOhms
|
20 V
|
2 V
|
170 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
429 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab
- FDD13AN06A0-F085
- onsemi
-
1:
$2.40
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
10,398En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDD13AN06A0-F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 50 A 3-Pin 2+Tab
|
|
10,398En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
50 A
|
13.5 mOhms
|
20 V
|
2 V
|
29 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
115 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET
- FDBL86363-F085
- onsemi
-
1:
$5.97
-
3,916En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86363_F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET
|
|
3,916En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-LL8-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
240 A
|
2 mOhms
|
20 V
|
2 V
|
130 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
357 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench
- FDBL86563-F085
- onsemi
-
1:
$6.72
-
3,401En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86563_F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench
|
|
3,401En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-LL8-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
240 A
|
2.9 mOhms
|
20 V
|
2 V
|
130 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
357 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
- FCH077N65F-F085
- onsemi
-
1:
$11.92
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
888En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCH077N65F_F085
NRND
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
|
|
888En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
54 A
|
184 mOhms
|
20 V
|
3 V
|
126 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
481 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
SuperFET II
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
- FCH041N65F-F085
- onsemi
-
1:
$15.77
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
358En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCH041N65F_F085
NRND
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET II MOSFET
|
|
358En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
76 A
|
96 mOhms
|
20 V
|
3 V
|
234 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
595 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
SuperFET II
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL N-Channel PowerTrench
- FDBL86361-F085
- onsemi
-
1:
$7.44
-
8,314En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86361F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL<BR>N-Channel PowerTrench
|
|
8,314En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-LL8-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
300 A
|
1.1 mOhms
|
20 V
|
2 V
|
172 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
429 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
- FDN5632N-F085
- onsemi
-
1:
$1.11
-
124,847En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDN5632N-F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
|
|
124,847En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SSOT-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
1.6 A
|
98 mOhms
|
20 V
|
1 V
|
12 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.1 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK N-Channel PowerTrench
- FDB86563-F085
- onsemi
-
1:
$5.63
-
5,688En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDB86563_F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK<BR> N-Channel PowerTrench
|
|
5,688En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-2
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
110 A
|
3.2 mOhms
|
20 V
|
2 V
|
126 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
333 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A
- FDBL86210-F085
- onsemi
-
1:
$7.69
-
451En existencias
-
2,000Se espera el 01/12/2027
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86210_F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Power Trench MOSFET 150V 169A
|
|
451En existencias
2,000Se espera el 01/12/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-LL8-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
150 V
|
169 A
|
5 mOhms
|
20 V
|
2.8 V
|
70 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
500 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET
- FDBL86366-F085
- onsemi
-
1:
$4.82
-
1,544En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86366_F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Power Trench MOSFET
|
|
1,544En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-LL8-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
220 A
|
6.1 mOhms
|
20 V
|
2 V
|
86 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET
- FDD86367-F085
- onsemi
-
1:
$3.23
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,349En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDD86367_F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET
|
|
2,349En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
100 A
|
8.4 mOhms
|
20 V
|
2 V
|
68 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
227 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench
- FDD86369-F085
- onsemi
-
1:
$2.48
-
2,804En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDD86369_F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench
|
|
2,804En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
90 A
|
17.4 mOhms
|
20 V
|
2 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
- FCH104N60F-F085
- onsemi
-
1:
$7.76
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
900En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCH104N60F_F085
NRND
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
|
|
900En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
37 A
|
275 mOhms
|
20 V
|
3 V
|
109 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
357 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
SuperFET II
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A
- FDC5661N-F085
- onsemi
-
1:
$1.25
-
244En existencias
-
45,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDC5661N-F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans N-Ch 60V 4.3A
|
|
244En existencias
45,000En pedido
Existencias:
244 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
21,000 Se espera el 10/26/2026
24,000 Se espera el 03/19/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SSOT-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
4.3 A
|
47 mOhms
|
20 V
|
1 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.6 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK N-Channel PowerTrench
- FDD86567-F085
- onsemi
-
1:
$3.55
-
142En existencias
-
2,500Se espera el 07/14/2027
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDD86567_F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 100A, 2.6mO, DPAK<BR>N-Channel PowerTrench
|
|
142En existencias
2,500Se espera el 07/14/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
100 A
|
6 mOhms
|
20 V
|
2 V
|
63 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
227 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET
- FDD9409-F085
- onsemi
-
1:
$2.55
-
27En existencias
-
2,500Se espera el 03/23/2027
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDD9409_F085
NRND
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel Power Trench MOSFET
|
|
27En existencias
2,500Se espera el 03/23/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
90 A
|
3.2 mOhms
|
20 V
|
3.2 V
|
42 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
PowerTrench
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|