Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Resultados: 271
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 414En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated DGD1504S8-13
Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver SO-8 2,425En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 70A 1,242En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 2,305En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 1.16W 31A 2,466En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 2,341En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET Low Rdson 2,363En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 5,000En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 3.1mOhm 10Vgs 100A 1,149En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 1,718En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver 2,971En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A 2,381En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 6En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500



Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver 2,212En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 2,594En existencias
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Máx.: 190
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 80A 3,370En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 2,500En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Enh Mode FET 41V to 60V TO263 750En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 800

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 1,753En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 2,500



Diodes Incorporated Controladores de puertas HV Gate Driver 1,864En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 1,498En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 2,221En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF 2,835En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 2,569En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Máx.: 160
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 1,418En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500