Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 9

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET FQD8P10TM onsemi 1: $1.34 Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos. 13,776En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQD8P10TM N.º de artículo de Mouser 512-FQD8P10TM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET	Hoja de datos	13,776En existencias	Cinta cortada $1.34 $0.625 $0.555 $0.432 $0.424 Envase tipo carrete $0.348 MouseReel Disponible Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,500 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	100 V	6.6 A	530 mOhms	30 V	4 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series FQD18N20V2TM onsemi 1: $2.15 Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos. 21,886En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQD18N20V2TM N.º de artículo de Mouser 512-FQD18N20V2TM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series	Hoja de datos	21,886En existencias	Cinta cortada $2.15 $1.04 $0.831 $0.708 $0.675 Envase tipo carrete $0.614 MouseReel Disponible Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,500 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	200 V	15 A	140 mOhms	30 V	3 V	26 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level FQD19N10LTM onsemi 1: $1.76 Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos. 29,979En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQD19N10LTM N.º de artículo de Mouser 512-FQD19N10LTM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level	Hoja de datos	29,979En existencias	Cinta cortada $1.76 $0.836 $0.746 $0.587 $0.541 Envase tipo carrete $0.464 MouseReel Disponible Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,500 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	15.6 A	100 mOhms	20 V	1 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET FQB34P10TM onsemi 1: $4.35 Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos. 9,104En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQB34P10TM N.º de artículo de Mouser 512-FQB34P10TM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET	Hoja de datos	9,104En existencias	Cinta cortada $4.35 $2.22 $1.94 $1.60 Envase tipo carrete $1.60 MouseReel Disponible Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 800 : 800	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	P-Channel	1 Channel	100 V	33.5 A	60 mOhms	25 V	4 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	3.75 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET FDMC2523P onsemi 1: $2.68 6,761En existencias	N.º de artículo del Fabricante FDMC2523P N.º de artículo de Mouser 512-FDMC2523P	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET	Hoja de datos	6,761En existencias	Cinta cortada $2.68 $1.34 $1.18 $0.961 $0.907 Envase tipo carrete $0.786 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3,000 : 3,000	Si	SMD/SMT	Power-33-8	P-Channel	1 Channel	150 V	3 A	1.5 Ohms	30 V	5 V	9 nC	- 55 C	+ 150 C	42 W	Enhancement	QFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET FQD2N60CTM onsemi 1: $1.48 Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos. 9,028En existencias 10,000Se espera el 09/25/2026	N.º de artículo del Fabricante FQD2N60CTM N.º de artículo de Mouser 512-FQD2N60CTM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET	Hoja de datos	9,028En existencias 10,000Se espera el 09/25/2026	Cinta cortada $1.48 $0.693 $0.617 $0.482 $0.478 Envase tipo carrete $0.364 MouseReel Disponible Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,500 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	600 V	1.9 A	3.6 Ohms	30 V	2 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET FQD7P20TM onsemi 1: $1.91 Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos. 16,575En existencias	N.º de artículo del Fabricante FQD7P20TM N.º de artículo de Mouser 512-FQD7P20TM	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET	Hoja de datos	16,575En existencias	Cinta cortada $1.91 $0.912 $0.769 $0.644 $0.641 Envase tipo carrete $0.52 MouseReel Disponible Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2,500 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	P-Channel	1 Channel	200 V	5.7 A	690 mOhms	30 V	5 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET FQPF19N20C onsemi 1: $2.35 Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos. 2,859En existencias 2,000Se espera el 12/04/2026	N.º de artículo del Fabricante FQPF19N20C N.º de artículo de Mouser 512-FQPF19N20C	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET	Hoja de datos	2,859En existencias 2,000Se espera el 12/04/2026	$2.35 $1.15 $1.03 $0.982 $0.87 Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	200 V	19 A	170 mOhms	30 V	2 V	53 nC	- 55 C	+ 150 C	43 W	Enhancement	QFET	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET FQAF11N90C onsemi 1: $5.88 Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos. 234En existencias Pedido especial de fábrica	N.º de artículo del Fabricante FQAF11N90C N.º de artículo de Mouser 512-FQAF11N90C Pedido especial de fábrica	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET Obtenga más información sobre onsemi fairchild cloud power management	Hoja de datos	234En existencias	$5.88 $3.34 $3.33 Ver $3.11 $2.92 $2.85 Presupuesto Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-3PF-3	N-Channel	1 Channel	900 V	7.2 A	1.1 Ohms	30 V	3 V	80 nC	- 55 C	+ 150 C	120 W	Enhancement	QFET	Tube

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte