Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Puerto Rico

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.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

DMT47M2LDVQ Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

Diodes Inc. DMT47M2LDVQ Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET is a 40V MOSFET with a low R_DS(ON) that minimizes on-state losses. The device offers low input capacitance and fast switching speed. Diodes Inc. DMT47M2LDVQ MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified for AEC-Q101 and is supported by a PPAP.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K DMT47M2LDV-7 Diodes Incorporated 1: $2.03 334En existencias	N.º de artículo del Fabricante DMT47M2LDV-7 N.º de artículo de Mouser 621-DMT47M2LDV-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes inc dmt47m2ldvq mosfet	Hoja de datos	334En existencias	Cinta cortada $2.03 $1.33 $0.856 $0.588 Envase tipo carrete $0.432 Ver $0.503 $0.404 $0.402 $0.383	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000			Si	SMD/SMT	PowerDI3333-8	N-Channel	2 Channel	40 V	30.2 A	10.8 mOhms	20 V	2.3 V	14 nC	- 55 C	+ 150 C	2.34 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K DMT47M2LDVQ-7 Diodes Incorporated 1: $2.05 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos. 9En existencias 10,000Se espera el 02/19/2027	N.º de artículo del Fabricante DMT47M2LDVQ-7 N.º de artículo de Mouser 621-DMT47M2LDVQ-7	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes inc dmt47m2ldvq mosfet	Hoja de datos	9En existencias 10,000Se espera el 02/19/2027	Cinta cortada $2.05 $1.11 $0.871 Envase tipo carrete $0.545 MouseReel Disponible Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000			Si	SMD/SMT	PowerDI3333-8	N-Channel	2 Channel	40 V	30.2 A	10.8 mOhms	20 V	2.3 V	14 nC	- 55 C	+ 150 C	2.34 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K DMT47M2LDV-13 Diodes Incorporated 3,000: $0.42 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos. Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas	N.º de artículo del Fabricante DMT47M2LDV-13 N.º de artículo de Mouser 621-DMT47M2LDV-13	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes inc dmt47m2ldvq mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas	Envase tipo carrete $0.42 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000			Si	SMD/SMT	PowerDI3333-8	N-Channel	2 Channel	40 V	30.2 A	10.8 mOhms	20 V	2.3 V	14 nC	- 55 C	+ 150 C	2.34 W	Enhancement		Reel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K DMT47M2LDVQ-13 Diodes Incorporated 3,000: $0.526 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos. Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas	N.º de artículo del Fabricante DMT47M2LDVQ-13 N.º de artículo de Mouser 621-DMT47M2LDVQ-13	Diodes Incorporated	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K Obtenga más información sobre Diodes Incorporated diodes inc dmt47m2ldvq mosfet	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas	Envase tipo carrete $0.526 Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.	Min.: 3,000 Mult.: 3,000 : 3,000			Si	SMD/SMT	PowerDI3333-8	N-Channel	2 Channel	40 V	30.2 A	10.8 mOhms	20 V	2.3 V	14 nC	- 55 C	+ 150 C	2.34 W	Enhancement	AEC-Q101	Reel