Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

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Resultados: 34

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE NTTFS4D9N04XMTAG onsemi 1: $1.20 1,127En existencias 3,000Se espera el 05/28/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTTFS4D9N04XMTAG N.º de artículo de Mouser 863-NTTFS4D9N04XMTAG Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1,127En existencias 3,000Se espera el 05/28/2027	Cinta cortada $1.20 $0.622 $0.485 Envase tipo carrete $0.485	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 414 : 1,500	Si	SMD/SMT	WDFN-8	N-Channel	1 Channel	40 V	65 A	4.9 mOhms	20 V	3.5 V	10.4 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NTMFS4D7N04XMT1G onsemi 1: $1.10 1,703En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTMFS4D7N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-NTMFS4D7N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1,703En existencias	Cinta cortada $1.10 $0.583 $0.446 Envase tipo carrete $0.446	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 170 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	66 A	4.7 mOhms	20 V	3.5 V	10.4 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK NTMYS006N08LHTWG onsemi 1: $3.54 1,170En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMYS006N08LHTWG N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS006N08LHTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1,170En existencias	Cinta cortada $3.54 $3.21 $2.42 $2.03 Envase tipo carrete $1.20 Ver $1.89 $1.17	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	80 V	77 A	7.8 mOhms	20 V	2 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	89 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NVMFWS1D3N04XMT1G onsemi 1: $2.60 37En existencias 13,500En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS1D3N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-VMFWS1D3N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	37En existencias 13,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NVMFWS1D3N04XMT1G Existencias: 37 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 9,000 Se espera el 11/24/2026 4,500 Se espera el 12/04/2026 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada $2.60 $1.66 $1.13 $0.956 $0.847 Envase tipo carrete $0.847	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,359 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	40 V	195 A	1.3 mOhms	20 V	3.5 V	38.6 nC	- 55 C	+ 175 C	90 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF NVMFWS3D5N08XT1G onsemi 1: $3.19 49En existencias 4,500Se espera el 04/05/2027	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS3D5N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFWS3D5N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	49En existencias 4,500Se espera el 04/05/2027	Cinta cortada $3.19 $1.84 $1.53 $1.13 $1.00 Envase tipo carrete $1.00	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	80 V	119 A	3.5 mOhms	20 V	3.6 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NVMFWS0D63N04XMT1G onsemi 1: $4.07 2,661En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS0D63N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-MFWS0D63N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2,661En existencias	Cinta cortada $4.07 $2.07 $1.88 Envase tipo carrete $1.88	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 328 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	40 V	384 A	600 uOhms	20 V	3.5 V	92.2 nC	- 55 C	+ 175 C	157 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2 NTTFSSCH0D7N02X onsemi 1: $2.98 3,085En existencias 5,000Se espera el 06/04/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTTFSSCH0D7N02X N.º de artículo de Mouser 863-NTTFSSCH0D7N02X Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2 Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	3,085En existencias 5,000Se espera el 06/04/2027	Cinta cortada $2.98 $1.48 $1.35 $1.10 Envase tipo carrete $1.10	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 942 : 5,000	Si	SMD/SMT	WDFN-9	N-Channel	1 Channel	25 V	310 A	580 uOhms	- 12 V, 16 V	2 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	87 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2 NTTFSSH1D3N04XL onsemi 1: $3.16 2,943En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTTFSSH1D3N04XL N.º de artículo de Mouser 863-NTTFSSH1D3N04XL Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2 Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2,943En existencias	Cinta cortada $3.16 $1.57 $1.42 Envase tipo carrete $1.42	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 294 : 3,000	Si	SMD/SMT	WDFN-9	N-Channel	1 Channel	40 V	207 A	1.3 mOhms	20 V	2.2 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NVMFWS2D9N04XMT1G onsemi 1: $2.07 7,153En existencias 4,500Se espera el 03/12/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS2D9N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-VMFWS2D9N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	7,153En existencias 4,500Se espera el 03/12/2027	Cinta cortada $2.07 $1.30 $0.855 $0.678 $0.603 Envase tipo carrete $0.603 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,150 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	40 V	94 A	3.1 mOhms	20 V	3.5 V	15.7 nC	- 55 C	+ 175 C	50 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK NTMYS013N08LHTWG onsemi 1: $3.17 2,950En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMYS013N08LHTWG N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS013N08LHTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2,950En existencias	Cinta cortada $3.17 $2.81 $2.13 $1.78 $1.65 Envase tipo carrete $1.03	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	80 V	42 A	17 mOhms	20 V	2 V	17 nC	- 55 C	+ 175 C	53 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK NTMYS020N08LHTWG onsemi 1: $2.96 3,000En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMYS020N08LHTWG N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS020N08LHTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	3,000En existencias	Cinta cortada $2.96 $2.69 $1.97 $1.60 Envase tipo carrete $0.953 Ver $1.48 $0.933	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	80 V	30 A	25 mOhms	20 V	2 V	12 nC	- 55 C	+ 175 C	42 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE NTTFS1D4N04XMTAG onsemi 1: $2.21 1,610En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NTTFS1D4N04XMTAG N.º de artículo de Mouser 863-NTTFS1D4N04XMTAG Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1,610En existencias	Cinta cortada $2.21 $1.25 $0.945 Envase tipo carrete $0.945	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 156 : 1,500	Si	SMD/SMT	WDFN-8	N-Channel	1 Channel	40 V	178 A	1.43 mOhms	20 V	3.5 V	35.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NVMFWS004N04XMT1G onsemi 1: $1.77 1,425En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS004N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-VMFWS004N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1,425En existencias	Cinta cortada $1.77 $0.839 $0.749 Envase tipo carrete $0.749	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 143 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	66 A	4.7 mOhms	20 V	3.5 V	10.6 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NVMFWS1D1N04XMT1G onsemi 1: $2.84 163En existencias 13,500En pedido Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS1D1N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-VMFWS1D1N04XMT1G Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	163En existencias 13,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NVMFWS1D1N04XMT1G Existencias: 163 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 3,000 Se espera el 06/11/2027 10,500 Se espera el 02/15/2028 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada $2.84 $1.83 $1.26 $1.02 $0.945 Envase tipo carrete $0.945	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,444 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	40 V	233 A	1.05 mOhms	20 V	3.5 V	49.3 nC	- 55 C	+ 175 C	104 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE NVTFWS4D9N04XMTAG onsemi 1: $1.76 2,889En existencias 1,500Se espera el 02/01/2027 Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante NVTFWS4D9N04XMTAG N.º de artículo de Mouser 863-VTFWS4D9N04XMTAG Nuevo producto	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN U8FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2,889En existencias 1,500Se espera el 02/01/2027	Cinta cortada $1.76 $0.696 $0.619 Envase tipo carrete $0.619	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 399 : 1,500	Si	SMD/SMT	WDFNW-8	N-Channel	1 Channel	40 V	66 A	4.9 mOhms	20 V	3.5 V	10.6 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK NTMYS003N08LHTWG onsemi 1: $4.16 2,191En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMYS003N08LHTWG N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS003N08LHTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2,191En existencias	Cinta cortada $4.16 $2.12 $1.92 $1.60 Envase tipo carrete $1.50	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	80 V	132 A	4.3 mOhms	20 V	2 V	64 nC	- 55 C	+ 175 C	137 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK NTMYS029N08LHTWG onsemi 1: $2.90 2,356En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTMYS029N08LHTWG N.º de artículo de Mouser 863-NTMYS029N08LHTWG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2,356En existencias	Cinta cortada $2.90 $1.83 $1.29 $1.04 Envase tipo carrete $0.896	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	LFPAK-4	N-Channel	1 Channel	80 V	22 A	38 mOhms	20 V	2 V	4 nC	- 55 C	+ 175 C	33 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE NTTFSS002N04HL onsemi 1: $2.90 1,995En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTTFSS002N04HL N.º de artículo de Mouser 863-NTTFSS002N04HL	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T8 IN 3X3 SD PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1,995En existencias	Cinta cortada $2.90 $1.44 $1.29 $1.04 $0.978 Envase tipo carrete $0.925	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	WDFN-9	N-Channel	1 Channel	40 V	150 A	3.1 mOhms	20 V	2 V	20.3 nC	- 55 C	+ 150 C	84 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF NVMFWS1D9N08XT1G onsemi 1: $4.15 1,034En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS1D9N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFWS1D9N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1,034En existencias	Cinta cortada $4.15 $2.11 $1.92 $1.72 $1.60 Envase tipo carrete $1.50	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW5	N-Channel		80 V	201 A	1.9 mOhms	20 V		39 nC	- 55 C	+ 175 C	164 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF NVMFWS2D5N08XT1G onsemi 1: $3.86 1,601En existencias 24,000Se espera el 09/24/2026	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS2D5N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFWS2D5N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	1,601En existencias 24,000Se espera el 09/24/2026	Cinta cortada $3.86 $2.22 $1.76 $1.40 $1.26 Envase tipo carrete $1.26	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3,000 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW5	N-Channel	1 Channel	80 V	156 A	2.55 mOhms	20 V	3.6 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	133 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF NVMFWS6D2N08XT1G onsemi 1: $2.27 3,836En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS6D2N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFWS6D2N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	3,836En existencias	Cinta cortada $2.27 $1.10 $0.985 $0.784 $0.735 Envase tipo carrete $0.686 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	80 V	71 A	6.2 mOhms	20 V	3.6 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V LFPAK 5X7 NVMJST1D4N06CLTXG onsemi 1: $4.44 5,782En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMJST1D4N06CLTXG N.º de artículo de Mouser 863-VMJST1D4N06CLTXG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V LFPAK 5X7 Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	5,782En existencias	Cinta cortada $4.44 $2.27 $2.06 $1.75 Envase tipo carrete $1.65	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	TCPAK57	N-Channel	1 Channel	60 V	198 A	1.49 mOhms	20 V	2 V	92.2 nC	- 55 C	+ 175 C	113 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL NTTFS6H888NLTAG onsemi 1: $1.02 2,514En existencias	N.º de artículo del Fabricante NTTFS6H888NLTAG N.º de artículo de Mouser 863-NTTFS6H888NLTAG	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	2,514En existencias	Cinta cortada $1.02 $0.634 $0.413 $0.318 Envase tipo carrete $0.277 Ver $0.304 $0.231 $0.227 $0.216	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	WDFN-8	N-Channel	1 Channel	80 V	14 A	67 mOhms	20 V	2 V	6 nC	- 55 C	+ 175 C	23 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF NVMFWS2D1N08XT1G onsemi 1: $3.86 110En existencias 10,500En pedido	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS2D1N08XT1G N.º de artículo de Mouser 863-NVMFWS2D1N08XT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	110En existencias 10,500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: NVMFWS2D1N08XT1G Existencias: 110 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 3,000 Se espera el 11/30/2026 7,500 Se espera el 12/29/2027 Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	Cinta cortada $3.86 $2.29 $1.81 $1.47 $1.32 Envase tipo carrete $1.32	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,500 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFNW-5	N-Channel	1 Channel	80 V	181 A	2.1 mOhms	20 V	3.6 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	148 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE NVMFWS2D3N04XMT1G onsemi 1: $2.26 813En existencias	N.º de artículo del Fabricante NVMFWS2D3N04XMT1G N.º de artículo de Mouser 863-VMFWS2D3N04XMT1G	onsemi	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE Obtenga más información sobre onsemi single n channel power mosfets	Hoja de datos	813En existencias	Cinta cortada $2.26 $1.11 $0.971 $0.806 $0.621 Envase tipo carrete $0.621	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,500	Si	SMD/SMT	DFN-5	N-Channel	1 Channel	40 V	121 A	2.35 mOhms	20 V	3.5 V	22.2 nC	- 55 C	+ 175 C	63 W	Enhancement	Reel, Cut Tape