Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
IPB018N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.26
737 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPB018N03LF2SATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
737 En existencias
1
$3.26
10
$2.12
100
$1.47
500
$1.13
800
$1.08
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
1 Channel
30 V
125 A
1.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
46 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
IPB020N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.23
784 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N03LF2SATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
784 En existencias
1
$3.23
10
$2.10
100
$1.45
500
$1.11
800
$1.06
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
1 Channel
30 V
122 A
2.05 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
IPB023N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.39
782 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPB023N03LF2SATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) StrongIRFET 2 Power -Transistor, 30 V in DPAK
782 En existencias
1
$2.39
10
$1.54
100
$1.05
500
$0.983
800
$0.90
2,400
$0.699
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-3
N-Channel
1 Channel
30 V
119 A
2.35 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
24 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
IPD020N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.65
4,961 En existencias
4,000 En pedido
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPD020N03LF2SATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
4,961 En existencias
4,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
4,961 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,000 Se espera el 08/20/2026
2,000 Se espera el 09/21/2026
Plazo de entrega de fábrica:
8 Semanas
1
$2.65
10
$1.70
100
$1.16
500
$0.982
2,000
$0.822
4,000
Ver
1,000
$0.87
4,000
$0.78
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
30 V
143 A
2.05 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
33 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
IPD023N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.43
2,829 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPD023N03LF2SATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
2,829 En existencias
1
$2.43
10
$1.56
100
$1.06
500
$0.846
2,000
$0.752
4,000
Ver
1,000
$0.778
4,000
$0.714
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
30 V
137 A
2.35 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
24 nC
- 55 C
+ 175 C
107 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
IPD030N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.23
3,721 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPD030N03LF2SATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
3,721 En existencias
1
$2.23
10
$1.43
100
$0.966
500
$0.769
2,000
$0.67
4,000
Ver
1,000
$0.705
4,000
$0.636
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
30 V
99 A
3.05 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
16 nC
- 55 C
+ 175 C
83 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
IPD040N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.87
3,703 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPD040N03LF2SATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
3,703 En existencias
1
$1.87
10
$1.19
100
$0.797
500
$0.629
2,000
$0.54
4,000
Ver
1,000
$0.575
4,000
$0.498
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
30 V
73 A
4.05 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
IPD047N03LF2SATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.71
2,448 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-IPD047N03LF2SATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
2,448 En existencias
1
$1.71
10
$1.09
100
$0.724
500
$0.587
2,000
$0.488
4,000
Ver
1,000
$0.53
4,000
$0.441
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
2,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-252-3
N-Channel
1 Channel
30 V
71 A
4.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.35 V
10 nC
- 55 C
+ 175 C
65 W
Enhancement
StrongIRFET
Reel, Cut Tape