DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON) while maintaining superior switching performance. ESD protected to 2KV, these new generation MOSFETs feature low on-resistance, very low gate threshold voltage, low input capacitance, fast switching speeds, and low input/output leakage. Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, DMN53xx N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 10
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs 296,285En existencias
Cinta cortada
$0.35
$0.168
$0.147
$0.097
$0.085
Envase tipo carrete
$0.074
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms 20 V 800 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 360 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET 193En existencias
30,000En pedido
Cinta cortada
$0.39
$0.226
$0.164
$0.123
$0.113
Envase tipo carrete
$0.113
Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,620
: 10,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs 483En existencias
126,000En pedido
Cinta cortada
$0.41
$0.188
$0.164
$0.136
Envase tipo carrete
$0.075
Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 360 mA 1.6 Ohms 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF 17,953En existencias
20,000Se espera el 01/29/2027
Cinta cortada
$0.35
$0.168
$0.147
$0.126
Envase tipo carrete
$0.126
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,880
: 10,000
Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 2 Ohms 20 V 800 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p 19En existencias
63,000Se espera el 09/10/2027
Cinta cortada
$0.34
$0.197
$0.14
$0.097
$0.085
Envase tipo carrete
$0.066
Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 360 mA 2 Ohms 20 V 800 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
89,972En pedido
Cinta cortada
$0.40
$0.232
$0.164
$0.139
Envase tipo carrete
$0.139
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,330
: 10,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101 927En existencias
102,000En pedido
Cinta cortada
$0.40
$0.232
$0.164
$0.139
Envase tipo carrete
$0.076
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
53,190En pedido
Cinta cortada
$0.39
$0.23
$0.177
$0.142
Envase tipo carrete
$0.078
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 300 mA 2 Ohms 12 V 400 mV 600 pC - 55 C + 150 C 520 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET
9,974Se espera el 01/15/2027
Cinta cortada
$0.35
$0.168
$0.147
$0.122
Envase tipo carrete
$0.122
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,880
: 10,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms 20 V 1.5 V 1.2 nC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Cinta cortada
$0.44
$0.299
$0.189
$0.119
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Envase tipo carrete
$0.053
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 300 mA 2 Ohms 12 V 400 mV 600 pC - 55 C + 150 C 520 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel