Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
ISCH57N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1:
$4.96
3,112 En existencias
4,000 Se espera el 01/28/2027
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-ISCH57N04NM7VSCA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
3,112 En existencias
4,000 Se espera el 01/28/2027
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4,000
Detalles
Si
SMD/SMT
WSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
443 A
520 uOhms
20 V
3.2 V
112 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package
ISCH75N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1:
$4.25
2,522 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-ISCH75N04NM7VSCA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package
2,522 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4,000
Detalles
Si
SMD/SMT
WSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
339 A
650 uOhms
20 V
3.2 V
81 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
ISCH92N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.70
3,160 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-ISCH92N04NM7VSCA
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.
3,160 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
4,000
Detalles
Si
SMD/SMT
WSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
289 A
820 uOhms
20 V
3.2 V
65 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
ISC011N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.53
5,000 En existencias
5,000 Se espera el 10/15/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-ISC011N04NM7VATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
5,000 En existencias
5,000 Se espera el 10/15/2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
256 A
1.05 mOhms
20 V
3.15 V
37 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
ISC016N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.71
17,377 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-ISC016N04NM7VATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
17,377 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
174 A
1.49 mOhms
20 V
3.15 V
37 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
ISCH99N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.66
2,298 En existencias
5,000 Se espera el 05/20/2027
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-ISCH99N04NM7VATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
2,298 En existencias
5,000 Se espera el 05/20/2027
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
284 A
900 uOhms
20 V
3.15 V
68 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
ISC012N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.15
16 En existencias
30,000 En pedido
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-ISC012N04NM7VATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
16 En existencias
30,000 En pedido
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
219 A
1.15 mOhms
20 V
3.15 V
45 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
ISZ015N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.24
115 En existencias
25,000 En pedido
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ015N04NM7VATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
115 En existencias
25,000 En pedido
Ver fechas
Existencias:
115 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
15,000 Se espera el 10/29/2026
10,000 Se espera el 01/28/2027
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
177 A
1.4 mOhms
20 V
3.15 V
37 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
ISCH54N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.56
8,044 Se espera el 10/15/2026
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-ISCH54N04NM7VATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
8,044 Se espera el 10/15/2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
458 A
500 uOhms
20 V
3.15 V
117 nC
- 55 C
+ 175 C
214 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
ISCH69N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.23
10,000 En pedido
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
726-ISCH69N04NM7VATM
Nuevo producto
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
10,000 En pedido
Ver fechas
En pedido:
5,000 Se espera el 04/15/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
5,000
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
357 A
650 uOhms
20 V
3.15 V
85 nC
- 55 C
+ 175 C
167 W
Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape