CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ P7 MOSFETs deliver a best-in-class price/performance ratio with excellent ease of use to address challenges in various applications. The 700V and 800V CoolMOS P7 power MOSFETs have been developed for flyback-based low-power SMPS applications, including adapters and chargers, lighting, audio SMPS, AUX, and industrial power. The 600V CoolMOS P7 power MOSFETs target low-power and high-power SMPS applications like solar inverters, servers, telecom, and EV charging stations. Infineon P7 MOSFETs are fully optimized for hard- and soft-switching topologies. 

Resultados: 115
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 68,653En existencias
$1.64
$0.774
$0.689
$0.578
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 600 mOhms 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 24.9 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 4,868En existencias
Cinta cortada
$3.36
$1.69
$1.52
$1.23
$1.20
Envase tipo carrete
$1.13
Min.: 1
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: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 4,860En existencias
$1.71
$0.809
$0.721
$0.566
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms 30 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 24.9 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 9,148En existencias
Cinta cortada
$1.39
$0.652
$0.58
$0.452
Envase tipo carrete
$0.362
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2 Ohms 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 4,448En existencias
Cinta cortada
$2.17
$1.05
$0.936
$0.744
$0.691
Envase tipo carrete
$0.612
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 640 mOhms 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 5,234En existencias
Cinta cortada
$4.43
$2.27
$2.05
$1.74
Envase tipo carrete
$1.64
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 8,670En existencias
Cinta cortada
$1.79
$0.85
$0.758
$0.597
Envase tipo carrete
$0.477
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1 Ohms 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3,510En existencias
$7.06
$3.68
$3.38
$3.04
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 3,453En existencias
Cinta cortada
$8.07
$4.38
$4.02
$3.91
$3.69
Envase tipo carrete
$3.69
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 53 mOhms 20 V 3 V 67 nC - 40 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 1,266En existencias
$2.27
$1.10
$0.984
$0.72
$0.676
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 770 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 1,431En existencias
$2.03
$0.909
$0.816
$0.684
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 2,472En existencias
Cinta cortada
$1.74
$0.826
$0.698
$0.575
Envase tipo carrete
$0.474
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1,659En existencias
$2.01
$0.964
$0.862
$0.694
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms 30 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 26.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 1,368En existencias
2,500Se espera el 10/15/2026
Cinta cortada
$2.19
$1.06
$0.945
$0.751
Envase tipo carrete
$0.62
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 220En existencias
$9.83
$5.30
$4.89
$4.77
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 61 A 45 mOhms 20 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 2,007En existencias
Cinta cortada
$1.71
$0.809
$0.721
$0.566
Envase tipo carrete
$0.451
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 2 Ohms 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 1,449En existencias
$2.99
$1.49
$1.34
$1.03
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms 30 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 4,712En existencias
Cinta cortada
$8.19
$5.48
$4.41
$3.95
Envase tipo carrete
$3.72
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 120 V 61 A 45 mOhms 20 V 1.7 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 12,678En existencias
$10.73
$5.83
$5.39
$5.35
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4,000
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 30 mOhms 20 V 3 V 121 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 7,876En existencias
500Se espera el 10/21/2026
$2.55
$1.24
$1.14
$0.905
$0.736
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 640 mOhms 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1,282En existencias
Cinta cortada
$6.10
$3.62
$2.95
$2.62
Envase tipo carrete
$2.34
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 7,565En existencias
Cinta cortada
$3.34
$1.67
$1.51
$1.22
Envase tipo carrete
$1.12
$1.11
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 4,443En existencias
Cinta cortada
$2.78
$1.37
$1.23
$0.989
Envase tipo carrete
$0.91
$0.873
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 32,709En existencias
Cinta cortada
$1.05
$0.483
$0.427
$0.329
Envase tipo carrete
$0.261
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 1.15 Ohms 16 V 2.5 V 4.7 nC - 40 C + 150 C 22.7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW 1,004En existencias
$14.28
$8.00
$7.70
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 101 A 24 mOhms 20 V 3.5 V 164 nC - 55 C + 150 C 291 W Enhancement CoolMOS Tube