Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 8,262En existencias
Cinta cortada
$1.76
$0.835
$0.548
$0.464
Envase tipo carrete
$0.464
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.26 mOhms 16 V 1.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 1,474En existencias
5,000Se espera el 06/03/2027
Cinta cortada
$2.02
$1.25
$0.821
$0.645
Envase tipo carrete
$0.435
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 18 mOhms 20 V 3 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 18,865En existencias
Cinta cortada
$2.81
$1.40
$1.23
$1.01
Ver
Envase tipo carrete
$0.829
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 90 A 6.2 mOhms 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 8,737En existencias
Cinta cortada
$1.32
$0.616
$0.546
$0.425
Envase tipo carrete
$0.316
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 20 A 30 mOhms 20 V 2 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 3,347En existencias
Cinta cortada
$6.63
$3.52
$3.22
$2.99
$2.83
Envase tipo carrete
$2.83
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 300 A 1.4 mOhms 20 V 3.8 V 144 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 25En existencias
35,000En pedido
Cinta cortada
$2.88
$1.42
$1.28
$1.03
Ver
Envase tipo carrete
$0.902
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.5 mOhms 20 V 2.2 V 76 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) 392En existencias
20,000En pedido
Cinta cortada
$1.50
$0.703
$0.625
$0.489
Envase tipo carrete
$0.367
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8-3 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10 mOhms 16 V 1.7 V 12.7 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 778En existencias
Cinta cortada
$4.81
$2.48
$2.25
$2.10
$1.83
Envase tipo carrete
$1.83
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 3.7 mOhms 20 V 2.2 V 110 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 56En existencias
20,000En pedido
Cinta cortada
$6.26
$3.30
$3.02
$2.77
$2.68
Envase tipo carrete
$2.59
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 300 A 1.5 mOhms 20 V 2.2 V 166 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel