|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
- IAUC100N04S6L020ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.76
-
8,262En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6L020
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
|
|
8,262En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
100 A
|
2.26 mOhms
|
16 V
|
1.6 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
75 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
- IPG20N04S418AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.02
-
1,474En existencias
-
5,000Se espera el 06/03/2027
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S418AATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
|
|
1,474En existencias
5,000Se espera el 06/03/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
2 Channel
|
40 V
|
20 A
|
18 mOhms
|
20 V
|
3 V
|
8.7 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
26 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
- IAUC90N10S5N062ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.81
-
18,865En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC90N10S5N062A
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
|
|
18,865En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
90 A
|
6.2 mOhms
|
20 V
|
3 V
|
36 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
115 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
- IAUZ20N08S5L300ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.32
-
8,737En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZ20N08S5L300A
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
|
|
8,737En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
20 A
|
30 mOhms
|
20 V
|
2 V
|
8.1 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
30 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
- IAUS300N08S5N014TATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.63
-
3,347En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-US300N08S5N014T1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
|
|
3,347En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOG-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
300 A
|
1.4 mOhms
|
20 V
|
3.8 V
|
144 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
- IAUC100N08S5N031ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.88
-
25En existencias
-
35,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N08S5N031
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
|
|
25En existencias
35,000En pedido
Existencias:
25 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
15,000 Se espera el 10/22/2026
20,000 Se espera el 11/19/2026
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
100 A
|
3.5 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
76 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
167 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
- IAUC41N06S5L100ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.50
-
392En existencias
-
20,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC41N06S5L100A
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
|
|
392En existencias
20,000En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
41 A
|
10 mOhms
|
16 V
|
1.7 V
|
12.7 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
42 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
- IAUS200N08S5N023ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.81
-
778En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUS200N08S5N023
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
|
|
778En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOG-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
200 A
|
3.7 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
110 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
200 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
- IAUT300N10S5N015ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.26
-
56En existencias
-
20,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUT300N10S5N015
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
|
|
56En existencias
20,000En pedido
Existencias:
56 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
8,000 Se espera el 10/22/2026
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOF-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
300 A
|
1.5 mOhms
|
20 V
|
2.2 V
|
166 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
375 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|