Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET
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IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 4A N-CH MOSFET
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IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
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IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 8A, FRD Built-in, TO-252, Field Stop Trench IGBT
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IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
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IGBTs IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 395 W Through Hole TO-247N
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RGS80TSX2HRC11
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 30A N-CH MOSFET
R6030ENXC7G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 30A N-CH MOSFET
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IGBTs 650V 8A IGBT Stop Trench
RGT16NS65DGTL
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IGBTs 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
RGW80TK65DGVC11
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 9A N-CH MOSFET
R6009ENXC7G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 9A N-CH MOSFET
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IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Field Stop Trench IGBT
RGS30TSX2GC11
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IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
RGT40NS65DGC9
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IGBTs 650V 15A IGBT Stop Trench
RGT30NS65DGTL
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IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, LPDS, Field Stop Trench IGBT
RGT50NS65DGTL
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IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, LPDS, Field Stop Trench IGBT
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IGBTs 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
RGW80TK65GVC11
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IGBTs 650V 20A IGBT Stop Trench
RGT40NS65DGTL
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IGBTs 650V 20A IGBT Stop Trench
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 24A N-CH MOSFET
R6024ENXC7G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 24A N-CH MOSFET
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IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
RGT50NS65DGC9
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$5.15
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755-RGT50NS65DGC9
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IGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET
R6007ENXC7G
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1:
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755-R6007ENXC7G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET
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IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
RGW60TK65DGVC11
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1:
$7.14
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N.º de artículo de Mouser
755-RGW60TK65DGVC11
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IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
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