Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10S IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

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SMD/SMT

DFNW-5

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1 Channel

40 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

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Enhancement

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Enhancement

Reel, Cut Tape

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NTMFS0D7N04XLT1G
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NTMFS1D1N04XMT1G
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Reel, Cut Tape

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NTMFS1D3N04XMT1G
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6,000Se espera el 06/04/2027

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6,000Se espera el 06/04/2027

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$2.29

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$0.711

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DFN-5

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Enhancement

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NTMFS2D5N08XT1G
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NTMFS2D5N08XT1G

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863-NTMFS2D5N08XT1G

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16,500En pedido

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$1.18

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DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

181 A

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+ 175 C

148 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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NTMFS3D1N04XMT1G
onsemi
1: $1.90
26En existencias
1,500Se espera el 10/16/2026

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NTMFS3D1N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D1N04XMT1G

onsemi

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26En existencias

1,500Se espera el 10/16/2026

Cinta cortada

$1.90

$1.19

$0.678

$0.553

$0.421

Envase tipo carrete

$0.421

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Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

83 A

3.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

15.6 nC

- 55 C

+ 175 C

39 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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NTMFS0D4N04XMT1G
onsemi
1: $4.17
5,907En pedido

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NTMFS0D4N04XMT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS0D4N04XMT1G

onsemi

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5,907En pedido

Cinta cortada

$4.17

$2.73

$2.04

Envase tipo carrete

$2.04

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Máx.: 340

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

40 V

509 A

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- 20 V, 20 V

3.5 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

197 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS3D5N08XT1G
onsemi
1: $2.57
5,897En pedido

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS3D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS3D5N08XT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

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5,897En pedido

Cinta cortada

$2.57

$1.63

$1.10

Envase tipo carrete

$1.10

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

135 A

3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.6 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

119 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

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