Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
STB18NM80
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511-STB18NM80
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
17 A
295 mOhms
30 V
5 V
70 nC
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+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
STL13N60M6
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SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
1 Channel
600 V
7 A
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25 V
3.25 V
13 nC
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Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
STB40N60M2
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511-STB40N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
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600 V
34 A
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25 V
3 V
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MDmesh
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB28N60M2
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
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600 V
22 A
150 mOhms
25 V
3 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
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MDmesh
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STI28N60M2
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
135 mOhms
25 V
2 V
36 nC
- 55 C
+ 150 C
170 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
STL33N60M2
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SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
1 Channel
600 V
21.5 A
135 mOhms
25 V
3 V
47 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB33N60M2
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511-STB33N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
887 En existencias
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Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
26 A
125 mOhms
25 V
3 V
45.5 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
STD5N60M2
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511-STD5N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
3.5 A
1.4 Ohms
25 V
3 V
8.5 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MDmesh
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL9N60M2
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511-STL9N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.76 Ohm typ., 4.8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
4,880 En existencias
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Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
600 V
4.8 A
860 mOhms
25 V
3 V
10 nC
- 55 C
+ 150 C
48 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
STP18NM80
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$8.70
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639 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STP18NM80
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
639 En existencias
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Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
17 A
295 mOhms
30 V
3 V
70 nC
- 65 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
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STW18NM80
STMicroelectronics
1:
$9.38
386 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STW18NM80
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
386 En existencias
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Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
800 V
17 A
295 mOhms
30 V
3 V
70 nC
- 65 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A
STD7NM80
STMicroelectronics
1:
$4.84
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
523 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD7NM80
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A
523 En existencias
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2,500
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
6.5 A
1.05 Ohms
30 V
4 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh
STF18NM80
STMicroelectronics
1:
$9.06
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
1 En existencias
2,000 Se espera el 05/28/2027
N.º de artículo de Mouser
511-STF18NM80
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh
1 En existencias
2,000 Se espera el 05/28/2027
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
17 A
250 mOhms
30 V
3 V
70 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
STFW38N65M5
STMicroelectronics
1:
$7.32
77 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STFW38N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-3PF package
77 En existencias
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Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
95 mOhms
25 V
4 V
71 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
STL10N60M6
STMicroelectronics
1:
$2.56
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
1,140 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL10N60M6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
1,140 En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
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3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-4
N-Channel
1 Channel
600 V
5.5 A
660 mOhms
25 V
3.25 V
8.8 nC
- 55 C
+ 150 C
48 W
Enhancement
MDmesh
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
STP18NM60N
STMicroelectronics
1:
$3.79
2,000 Se espera el 05/28/2027
N.º de artículo de Mouser
511-STP18NM60N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
2,000 Se espera el 05/28/2027
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
13 A
260 mOhms
25 V
2 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected
STU8N80K5
STMicroelectronics
1:
$3.12
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
400 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STU8N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected
400 En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
950 mOhms
30 V
4 V
16.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5
STP8N80K5
STMicroelectronics
1,000:
$1.15
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STP8N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
950 mOhms
30 V
4 V
16.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
STF7NM80
STMicroelectronics
1,000:
$2.11
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STF7NM80
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Comprar
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6.5 A
1.05 Ohms
30 V
4 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in I2PAK package
STI33N60M2
STMicroelectronics
1,000:
$1.75
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
N.º de artículo de Mouser
511-STI33N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in I2PAK package
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
600 V
26 A
125 mOhms
25 V
3 V
45.5 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Tube