2.3 GHz to 2.7 GHz Semiconductores

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Mini-Circuits Amplificador de RF BROADBAND AMPL / SMA / RoHS 13En existencias
150En pedido
Se puede aplicar una tarifa de 5 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Mini-Circuits Amplificador de RF SMT Low Noise Amplifier, 2300 - 2700 MHz, 50? 318En existencias
500Se espera el 11/16/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Guerrilla RF Amplificador de RF High Gain Linear Driver Tuning Range: 2.3 to 3 GHz 1,480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE 1,995En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE 1,883En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP 303En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 300

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327S-50PBG/SOT502/REELDP 90En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

Analog Devices Extremo frontal RF 2.3 GHz to 2.7 GHz, Receiver Front End 400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400

Infineon Technologies Amplificador de RF WIRELESS INFRASTRUCTURE 5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Infineon Technologies Amplificador de RF RF MMIC 3 TO 6 GHZ 1,190En existencias
12,000Se espera el 09/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 12,000

Infineon Technologies Amplificador de RF RF BIP TRANSISTORS 685En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 7,500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1275/REELDP
1,500Se espera el 09/18/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Qorvo Amplificador de RF 2.3-2.7 GHz .25W B7/B30/B40/41
2,500Se espera el 10/01/2026
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500


pSemi Extremo frontal RF Single Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

pSemi Extremo frontal RF Dual Channel Switch LNA module, 2.3-2.7GHz No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2327N55D/PQFN/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000