TO-247-4 Semiconductores

Resultados: 443
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS

onsemi IGBTs FS3 TIGBT Excellent switching performan
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502En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4
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165En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
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1,733En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
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670En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
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750En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 19 % si el envío es a los Estados Unidos.
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
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1,589En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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948En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3
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217En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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368En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC 1200V/40MOSICFETG3TO247-4
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630En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V N-Channel SuperFET III MOSFET
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125En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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335En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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onsemi MOSFETs de SiC 1200V/23MOSICFETG4TO24
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673En existencias
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
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449En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
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1,045En existencias
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
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650En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 19 % si el envío es a los Estados Unidos.
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onsemi IGBTs 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT AND FAST FRD
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384En existencias
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onsemi IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
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432En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
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660En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
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525En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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onsemi IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
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330En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC
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703En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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220En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
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709En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag
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166En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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