MOSFETs MOSFETs de SiC

Resultados: 161
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial


Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 1,149En existencias
$30.26
$20.33
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole 1 Channel 1.2 kV 127 A 14 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 110 nC - 55 C + 150 C 455 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial 670En existencias
$9.51
$4.73
$4.50
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial 661En existencias
$12.98
$7.35
$7.29
$7.25
$6.78
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial 601En existencias
$10.70
$5.94
$5.66
$5.63
$5.26
Min.: 1
Mult.: 1
SMD/SMT 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 947En existencias
$14.60
$9.67
$8.08
$7.89
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 55 A 39 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 39 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement


Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1,000En existencias
Cinta cortada
$6.23
$3.29
$2.43
$2.42
Envase tipo carrete
$2.42
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 643En existencias
Cinta cortada
$18.22
$11.25
$10.94
Envase tipo carrete
$10.65
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 64 A 30 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 67 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1,995En existencias
Cinta cortada
$9.40
$5.47
$5.05
$4.73
Envase tipo carrete
$4.50
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Central Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC 17En existencias
$39.55
$32.36
$28.59
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 26 A 40 mOhms 20 V 2.4 V - 55 C + 175 C 28 W Depletion
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET 1,642En existencias
$63.56
$61.00
$53.36
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 111 A 12 mOhms - 10 V, + 22 V 2.7 V 288 nC - 55 C + 175 C 567 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial 404En existencias
Cinta cortada
$12.98
$7.35
$7.26
$6.78
Envase tipo carrete
$6.78
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1,019En existencias
Cinta cortada
$10.14
$5.61
$5.26
$5.18
Envase tipo carrete
$4.98
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 45 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 861En existencias
Cinta cortada
$7.43
$4.67
$4.28
$4.03
Envase tipo carrete
$3.99
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 33 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 753En existencias
Cinta cortada
$6.74
$3.95
$3.60
$3.39
Envase tipo carrete
$3.25
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET 1,737En existencias
$10.16
$5.80
$5.36
$4.59
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 7 A 450 mOhms - 5 V, + 15 V 2.7 V 13 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC 994En existencias
Cinta cortada
$27.90
$19.38
Envase tipo carrete
$18.35
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C Enhancement
SemiQ MOSFETs de SiC Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 391En existencias
$12.58
$7.55
$7.54
$6.50
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 280 A 25 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial 2,442En existencias
Cinta cortada
$5.93
$3.35
$2.90
$2.41
Envase tipo carrete
$2.20
$1.83
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1700 V 4.4 A 1.25 Ohms - 8 V, + 20 V 4.2 V 8 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 1,690En existencias
Cinta cortada
$14.65
$8.49
$8.33
Envase tipo carrete
$7.93
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 82 A 67 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 1,011En existencias
750Se espera el 11/05/2026
Cinta cortada
$12.41
$8.98
$7.48
$6.67
Envase tipo carrete
$6.23
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 64 A 89 mOhms - 10 V, + 25 C 5.1 V 48.7 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 911En existencias
Cinta cortada
$11.54
$6.46
$6.22
$5.81
Envase tipo carrete
$5.81
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 56 A 104 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 42.4 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 316En existencias
750Se espera el 11/05/2026
Cinta cortada
$9.69
$5.33
$4.95
$4.62
Envase tipo carrete
$4.62
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 43 A 138 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 32.8 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 2,169En existencias
Cinta cortada
$8.51
$4.62
$4.24
$4.15
Envase tipo carrete
$3.89
Min.: 1
Mult.: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 31 A 205 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 23.2 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 267En existencias
$19.03
$14.50
$12.08
$10.76
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 80 A 29 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 238En existencias
$12.44
$9.00
$7.50
$6.67
$6.24
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 48 A 51 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC