|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R014M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$30.26
-
1,149En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMW120R014M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
1,149En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Through Hole
|
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
127 A
|
14 mOhms
|
- 10 V, + 23 V
|
4.2 V
|
110 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
455 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
- C3M0075120K-A
- Wolfspeed
-
1:
$9.51
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
670En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-C3M0075120K-A
|
Wolfspeed
|
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial
|
|
670En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
32 A
|
90 mOhms
|
- 8 V, + 19 V
|
3.6 V
|
53 nC
|
- 40 C
|
+ 175 C
|
136 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
- C3M0040120J1
- Wolfspeed
-
1:
$12.98
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
661En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-C3M0040120J1
|
Wolfspeed
|
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
|
|
661En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
64 A
|
53.5 mOhms
|
- 8 V, + 19 V
|
3.6 V
|
94 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
272 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
- C3M0045065J1
- Wolfspeed
-
1:
$10.70
-
601En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-C3M0045065J1
|
Wolfspeed
|
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
|
|
601En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
47 A
|
60 mOhms
|
- 8 V, + 19 V
|
3.6 V
|
61 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
147 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZA120R040M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$14.60
-
947En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R040M1HXK
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
947En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
55 A
|
39 mOhms
|
- 10 V, + 23 V
|
4.2 V
|
39 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
227 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R163M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.23
-
1,000En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R163M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,000En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
17 A
|
217 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
27 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
85 W
|
Enhancement
|
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R022M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$18.22
-
643En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R022M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
643En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
64 A
|
30 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
67 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R057M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.40
-
1,995En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R057M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,995En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
39 A
|
74 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
28 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
161 W
|
Enhancement
|
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
- CDMS24740-170 SL PBFREE
- Central Semiconductor
-
1:
$39.55
-
17En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
610-CDMS24740-170SL
Nuevo producto
|
Central Semiconductor
|
MOSFETs de SiC 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
|
|
17En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
1.7 kV
|
26 A
|
40 mOhms
|
20 V
|
2.4 V
|
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
28 W
|
Depletion
|
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R12MT12K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
$63.56
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,642En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
905-G3R12MT12K
|
GeneSiC Semiconductor
|
MOSFETs de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
1,642En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
111 A
|
12 mOhms
|
- 10 V, + 22 V
|
2.7 V
|
288 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
567 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
- C3M0040120J1-TR
- Wolfspeed
-
1:
$12.98
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
404En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-C3M0040120J1TR
|
Wolfspeed
|
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
|
|
404En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
64 A
|
53.5 mOhms
|
- 8 V, + 19 V
|
3.6 V
|
94 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
272 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R048M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$10.14
-
1,019En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R048M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,019En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
45 A
|
64 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
33 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
183 W
|
Enhancement
|
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R072M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.43
-
861En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R072M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
861En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
33 A
|
94 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
22 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
140 W
|
Enhancement
|
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R107M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.74
-
753En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R107M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
753En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
1 Channel
|
650 V
|
24 A
|
141 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
35 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
110 W
|
Enhancement
|
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
- G3R450MT17D
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
$10.16
-
1,737En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
905-G3R450MT17D
|
GeneSiC Semiconductor
|
MOSFETs de SiC 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
|
|
1,737En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
1.7 kV
|
7 A
|
450 mOhms
|
- 5 V, + 15 V
|
2.7 V
|
13 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
70 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
- SCT4018KWATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$27.90
-
994En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCT4018KWATL
Nuevo producto
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
|
|
994En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7LA
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
75 A
|
23.4 mOhms
|
- 4 V, + 21 V
|
4.8 V
|
170 nC
|
|
+ 175 C
|
|
Enhancement
|
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T020A120H
- SemiQ
-
1:
$12.58
-
391En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
148-GP3T020A120H
Nuevo producto
|
SemiQ
|
MOSFETs de SiC Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
391En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
280 A
|
25 mOhms
|
- 4.5 V, + 18 V
|
4 V
|
234 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
429 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial
- C3M0900170J-TR
- Wolfspeed
-
1:
$5.93
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,442En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
941-C3M0900170J-TR
Nuevo producto
|
Wolfspeed
|
MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial
|
|
2,442En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1700 V
|
4.4 A
|
1.25 Ohms
|
- 8 V, + 20 V
|
4.2 V
|
8 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
41 W
|
Enhancement
|
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$14.65
-
1,690En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R026M2HXT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
1,690En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
82 A
|
67 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
|
63.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
405 W
|
Enhancement
|
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R034M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$12.41
-
1,011En existencias
-
750Se espera el 11/05/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R034M2HXT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
1,011En existencias
750Se espera el 11/05/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
64 A
|
89 mOhms
|
- 10 V, + 25 C
|
5.1 V
|
48.7 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
326 W
|
Enhancement
|
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$11.54
-
911En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R040M2HXT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
911En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
56 A
|
104 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
|
42.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
288 W
|
Enhancement
|
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R053M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.69
-
316En existencias
-
750Se espera el 11/05/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R053M2HXT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
316En existencias
750Se espera el 11/05/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
43 A
|
138 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
|
32.8 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
234 W
|
Enhancement
|
|
CoolSiC
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R078M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.51
-
2,169En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMCQ120R078M2HXT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
2,169En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
750
|
|
|
SMD/SMT
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PG-HDSOP-22-U03
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1 Channel
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1.2 kV
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31 A
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205 mOhms
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- 10 V, + 25 V
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5.1 V
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23.2 nC
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- 55 C
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+ 175 C
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176 W
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Enhancement
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CoolSiC
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
- IMZA120R022M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$19.03
-
267En existencias
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R022M2HXK
Nuevo producto
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Infineon Technologies
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
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267En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Through Hole
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PG-TO247-4-U02
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1 Channel
|
1.2 kV
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80 A
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29 mOhms
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- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
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71 nC
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- 55 C
|
+ 175 C
|
329 W
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Enhancement
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|
CoolSiC
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MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
- IMZA120R040M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$12.44
-
238En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA120R040M2HXK
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
|
|
238En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Through Hole
|
PG-TO247-4-U02
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
48 A
|
51 mOhms
|
- 10 V, + 25 V
|
5.1 V
|
39 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
218 W
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Enhancement
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|
CoolSiC
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