|
|
IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
- STGF7NB60SL
- STMicroelectronics
-
1:
$2.31
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,872En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGF7NB60SL
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
|
|
2,872En existencias
|
|
|
$2.31
|
|
|
$0.894
|
|
|
$0.83
|
|
|
$0.735
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.657
|
|
|
$0.609
|
|
|
$0.591
|
|
|
Presupuesto
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3 FP
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
- STE40NC60
- STMicroelectronics
-
1:
$42.43
-
46En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STE40NC60
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
|
|
46En existencias
|
|
|
$42.43
|
|
|
$31.66
|
|
|
$30.61
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
ISOTOP-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
- STFW3N150
- STMicroelectronics
-
1:
$4.71
-
1,933En existencias
-
4,200Se espera el 01/29/2027
|
N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N150
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
|
|
1,933En existencias
4,200Se espera el 01/29/2027
|
|
|
$4.71
|
|
|
$2.94
|
|
|
$2.20
|
|
|
$1.91
|
|
|
$1.79
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3PF-3
|
|
|
|
IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
- STGD6NC60H-1
- STMicroelectronics
-
1:
$1.93
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
3,046En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGD6NC60H-1
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
|
|
3,046En existencias
|
|
|
$1.93
|
|
|
$0.862
|
|
|
$0.773
|
|
|
$0.645
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.548
|
|
|
$0.523
|
|
|
$0.496
|
|
|
$0.492
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
IPAK-3
|
|
|
|
IGBTs N-CHANNEL IGBT
- STGW30NC120HD
- STMicroelectronics
-
1:
$5.91
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,419En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGW30NC120HD
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N-CHANNEL IGBT
|
|
2,419En existencias
|
|
|
$5.91
|
|
|
$3.34
|
|
|
$2.77
|
|
|
$2.43
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
- STW3N170
- STMicroelectronics
-
1:
$6.67
-
827En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW3N170
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
|
|
827En existencias
|
|
|
$6.67
|
|
|
$3.46
|
|
|
$3.17
|
|
|
$2.85
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3PF-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh
- STW4N150
- STMicroelectronics
-
1:
$7.74
-
1,400En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW4N150
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh
|
|
1,400En existencias
|
|
|
$7.74
|
|
|
$4.46
|
|
|
$3.74
|
|
|
$3.43
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp
- STE53NC50
- STMicroelectronics
-
1:
$42.14
-
5En existencias
-
400En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STE53NC50
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp
|
|
5En existencias
400En pedido
Existencias:
5 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
200 Se espera el 03/19/2027
200 Se espera el 04/09/2027
Plazo de entrega de fábrica:
24 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
ISOTOP-4
|
|
|
|
IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp
- STGB20NB41LZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$4.17
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
460En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGB20NB41LZ
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp
|
|
460En existencias
|
|
|
$4.17
|
|
|
$2.73
|
|
|
$2.04
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.58
|
|
|
$1.48
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
- STP3N150
- STMicroelectronics
-
1:
$6.36
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
935En existencias
-
2,000Se espera el 08/24/2026
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP3N150
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
|
|
935En existencias
2,000Se espera el 08/24/2026
|
|
|
$6.36
|
|
|
$3.36
|
|
|
$3.07
|
|
|
$2.60
|
|
|
$2.45
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET
- STP4N150
- STMicroelectronics
-
1:
$6.14
-
424En existencias
-
6,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP4N150
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET
|
|
424En existencias
6,000En pedido
Existencias:
424 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,000 Se espera el 08/18/2026
5,000 Se espera el 02/08/2027
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
|
|
|
$6.14
|
|
|
$3.30
|
|
|
$3.01
|
|
|
$2.51
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.34
|
|
|
$2.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
- STH3N150-2
- STMicroelectronics
-
1:
$6.44
-
27,370En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH3N150-2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
|
|
27,370En pedido
En pedido:
370 Se espera el 09/25/2026
9,000 Se espera el 10/30/2026
18,000 Se espera el 02/12/2027
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas
|
|
|
$6.44
|
|
|
$3.41
|
|
|
$3.11
|
|
|
$2.88
|
|
|
$2.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
H2PAK-2
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package
- STFW3N170
- STMicroelectronics
-
1:
$6.75
-
1,760En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N170
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package
|
|
1,760En pedido
En pedido:
860 Se espera el 04/16/2027
900 Se espera el 07/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
24 Semanas
|
|
|
$6.75
|
|
|
$3.50
|
|
|
$3.21
|
|
|
$2.89
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3PF-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
- STFW4N150
- STMicroelectronics
-
1:
$7.22
-
900Se espera el 06/25/2027
|
N.º de artículo de Mouser
511-STFW4N150
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
|
|
900Se espera el 06/25/2027
|
|
|
$7.22
|
|
|
$3.77
|
|
|
$3.46
|
|
|
$3.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-3PF-3
|
|
|
|
IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
- STGD7NB60ST4
- STMicroelectronics
-
1:
$3.03
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
5,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGD7NB60ST4
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
|
|
5,000En pedido
|
|
|
$3.03
|
|
|
$1.97
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.956
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
|
|
|
Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp
- STGE200NB60S
- STMicroelectronics
-
1:
$29.04
-
300En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGE200NB60S
|
STMicroelectronics
|
Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp
|
|
300En pedido
|
|
|
$29.04
|
|
|
$21.28
|
|
|
$18.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Through Hole
|
ISOTOP-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
- STW3N150
- STMicroelectronics
-
1:
$5.56
-
1,790Se espera el 09/18/2026
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW3N150
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
|
|
1,790Se espera el 09/18/2026
|
|
|
$5.56
|
|
|
$2.92
|
|
|
$2.21
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
- STW9N150
- STMicroelectronics
-
1:
$10.60
-
1,200En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW9N150
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
|
|
1,200En pedido
|
|
|
$10.60
|
|
|
$6.34
|
|
|
$5.37
|
|
|
$5.06
|
|
|
$4.97
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
IGBTs N Ch 10A 600V
- STGD10NC60HT4
- STMicroelectronics
-
2,500:
$0.612
-
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGD10NC60HT4
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N Ch 10A 600V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
:
2,500
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|