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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mOhm typ., -50 A STripFET F6 Power MOSFET i
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2,316En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
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3,460En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
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2,652En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
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4,759En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A
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2,881En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Herramientas de desarrollo del sensor de aceleración iNEMO inertial module kit based on ISM330DHCX
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152En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
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871En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
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2,621En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
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1,723En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
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879En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh
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1,773En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
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1,801En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
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7,090En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp
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4,900En existencias
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STMicroelectronics IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
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2,067En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics IGBTs 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode
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5,659En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics IGBTs 30A 600v IGBT
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479En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
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361En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i
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5,549En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
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3,039En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
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3,711En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 3,000


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 1.35 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a
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3,312En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
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6,000En existencias
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: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 35 mOhm typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in
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4,232En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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