|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 1.5A 250mohm SOP-8
- RJF0614JSP-00#J0
- Renesas Electronics
-
1:
$3.59
-
2,208En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
968-RJF0614JSP-00J0
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch Thermal FET 60V 1.5A 250mohm SOP-8
|
|
2,208En existencias
|
|
|
$3.59
|
|
|
$2.34
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.19
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3E
- CSD87503Q3ET
- Texas Instruments
-
1:
$1.69
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
986En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
595-CSD87503Q3ET
|
Texas Instruments
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3E
|
|
986En existencias
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.94
|
|
|
$0.94
|
|
|
$0.885
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.854
|
|
|
$0.843
|
|
|
$0.771
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
250
|
|
|
|
|
Rectificadores Super Fast Recovery Diode
- RFN6T2DNZC9
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.09
-
Se puede aplicar una tarifa de 15 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,750En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RFN6T2DNZC9
|
ROHM Semiconductor
|
Rectificadores Super Fast Recovery Diode
|
|
1,750En existencias
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.903
|
|
|
$0.718
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.685
|
|
|
$0.67
|
|
|
$0.635
|
|
|
$0.577
|
Se puede aplicar una tarifa de 15 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos IGBT 650 V, 100 A booster IGBT module
- DF100R07W1H5FPB54BPSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$38.17
-
28En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-DFW1H5FPB54BPSA2
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 650 V, 100 A booster IGBT module
|
|
28En existencias
|
|
|
$38.17
|
|
|
$28.43
|
|
|
$23.74
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC 1200V/20ASICDIODEDUAL
- UJ3D1220KSD
- onsemi
-
1:
$15.75
-
343En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
431-UJ3D1220KSD
NRND
|
onsemi
|
Diodos Schottky de SiC 1200V/20ASICDIODEDUAL
|
|
343En existencias
|
|
|
$15.75
|
|
|
$8.90
|
|
|
$8.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
- IPG20N04S4-12
- Infineon Technologies
-
1:
$1.91
-
9,036En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-12
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
|
|
9,036En existencias
|
|
|
$1.91
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.759
|
|
|
$0.633
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.499
|
|
|
$0.57
|
|
|
$0.525
|
|
|
$0.499
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
- IPG20N04S412AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.85
-
14,593En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S412AATM
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
|
|
14,593En existencias
|
|
|
$1.85
|
|
|
$0.885
|
|
|
$0.753
|
|
|
$0.623
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.499
|
|
|
$0.569
|
|
|
$0.532
|
|
|
$0.499
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Rectificadores Super Fast Recovery Diode (AEC-Q101 Qualified)
- RF1001NS2DFHTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.58
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
948En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RF1001NS2DFHTL
|
ROHM Semiconductor
|
Rectificadores Super Fast Recovery Diode (AEC-Q101 Qualified)
|
|
948En existencias
|
|
|
$2.58
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.904
|
|
|
$0.823
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.805
|
|
|
$0.753
|
|
|
$0.752
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Rectificadores Super Fast Recovery Diode
- RFN10T2DNZC9
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.42
-
Se puede aplicar una tarifa de 15 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,146En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RFN10T2DNZC9
|
ROHM Semiconductor
|
Rectificadores Super Fast Recovery Diode
|
|
1,146En existencias
|
|
|
$2.42
|
|
|
$1.18
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.84
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.789
|
|
|
$0.783
|
|
|
$0.762
|
|
|
$0.727
|
|
|
Presupuesto
|
Se puede aplicar una tarifa de 15 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Rectificadores Recovery Diode 200V TO-252 6A Io 0.9V Vf
- RFN6BM2DFHTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.72
-
2,039En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RFN6BM2DFHTL
|
ROHM Semiconductor
|
Rectificadores Recovery Diode 200V TO-252 6A Io 0.9V Vf
|
|
2,039En existencias
|
|
|
$1.72
|
|
|
$0.814
|
|
|
$0.726
|
|
|
$0.571
|
|
|
$0.465
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.517
|
|
|
$0.415
|
|
|
$0.397
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky 10A, 120V, SMPD, TRENCH SKY RECT.
- V10D120CHM3/I
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.57
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,990En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-V10D120CHM3I
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores y diodos Schottky 10A, 120V, SMPD, TRENCH SKY RECT.
|
|
1,990En existencias
|
|
|
$2.57
|
|
|
$1.65
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.952
|
|
|
$0.797
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.843
|
|
|
$0.768
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- PJQ5948V-AU_R2_002A1
- Panjit
-
1:
$1.37
-
2,874En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
241-PJQ5948VAUR202A1
NRND
|
Panjit
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
|
|
2,874En existencias
|
|
|
$1.37
|
|
|
$0.639
|
|
|
$0.567
|
|
|
$0.442
|
|
|
$0.441
|
|
|
$0.433
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V W/SCHOTTKY PowerPAIR 3 x 3FDC
- SIZF360DT-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.64
-
2,945En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIZF360DT-T1-GE3
Fin de vida útil
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V W/SCHOTTKY PowerPAIR 3 x 3FDC
|
|
2,945En existencias
|
|
|
$2.64
|
|
|
$1.30
|
|
|
$1.16
|
|
|
$0.93
|
|
|
$0.892
|
|
|
$0.812
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V N-CH NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
- CSD87312Q3E
- Texas Instruments
-
1:
$2.18
-
2,198En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
595-CSD87312Q3E
|
Texas Instruments
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V N-CH NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
|
|
2,198En existencias
|
|
|
$2.18
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.94
|
|
|
$0.76
|
|
|
$0.617
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.693
|
|
|
$0.555
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Middle Power MOSFET
- HP8K24TB
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.36
-
1,339En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-HP8K24TB
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Middle Power MOSFET
|
|
1,339En existencias
|
|
|
$2.36
|
|
|
$1.15
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.818
|
|
|
$0.774
|
|
|
$0.695
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky SCHOTTKY 45V 30MA
- RB706D-40T146
- ROHM Semiconductor
-
1:
$0.86
-
5,628En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RB706D-40T146
|
ROHM Semiconductor
|
Rectificadores y diodos Schottky SCHOTTKY 45V 30MA
|
|
5,628En existencias
|
|
|
$0.86
|
|
|
$0.392
|
|
|
$0.346
|
|
|
$0.264
|
|
|
$0.189
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.261
|
|
|
$0.178
|
|
|
$0.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
- HN4C51J(TE85L,F)
- Toshiba
-
1:
$0.62
-
7,984En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-HN4C51JTE85LF
|
Toshiba
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
|
|
7,984En existencias
|
|
|
$0.62
|
|
|
$0.38
|
|
|
$0.243
|
|
|
$0.183
|
|
|
$0.139
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.164
|
|
|
$0.126
|
|
|
$0.109
|
|
|
$0.105
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
- IPG20N04S4-08
- Infineon Technologies
-
1:
$2.40
-
8,352En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4-08
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
|
|
8,352En existencias
|
|
|
$2.40
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.833
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.711
|
|
|
$0.791
|
|
|
$0.739
|
|
|
$0.711
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
- NSVJ6904DSB6T1G
- onsemi
-
1:
$1.47
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
7,816En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
863-NSVJ6904DSB6T1G
NRND
|
onsemi
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
|
|
7,816En existencias
|
|
|
$1.47
|
|
|
$0.691
|
|
|
$0.614
|
|
|
$0.614
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 240
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AF TRANSISTOR
- BC847SH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.41
-
260,502En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-BC847SH6327XTSA1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) AF TRANSISTOR
|
|
260,502En existencias
|
|
|
$0.41
|
|
|
$0.325
|
|
|
$0.206
|
|
|
$0.13
|
|
|
$0.099
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.113
|
|
|
$0.084
|
|
|
$0.058
|
|
|
$0.048
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja AF DIODE 100V 0.2A
- MMBD 7000 LT1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.47
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
137,587En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-MMBD7000LT1
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja AF DIODE 100V 0.2A
|
|
137,587En existencias
|
|
|
$0.47
|
|
|
$0.32
|
|
|
$0.202
|
|
|
$0.127
|
|
|
$0.097
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.113
|
|
|
$0.083
|
|
|
$0.073
|
|
|
$0.055
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 100V Vds 3A 0.135Rds(on) 8.5Qg
- SP8M51FRATB
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.65
-
24,002En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
755-SP8M51FRATB
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch+Pch 100V Vds 3A 0.135Rds(on) 8.5Qg
|
|
24,002En existencias
|
|
|
$2.65
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.794
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.913
|
|
|
$0.764
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky SCHOTTKY 30V 100MA
- RB548WTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$0.66
-
13,522En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RB548WTL
|
ROHM Semiconductor
|
Rectificadores y diodos Schottky SCHOTTKY 30V 100MA
|
|
13,522En existencias
|
|
|
$0.66
|
|
|
$0.296
|
|
|
$0.259
|
|
|
$0.196
|
|
|
$0.139
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.195
|
|
|
$0.13
|
|
|
$0.116
|
|
|
$0.106
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR ARRAY
- BC 817UPN E6327
- Infineon Technologies
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1:
$1.20
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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14,450En existencias
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Fin de vida útil
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N.º de artículo de Mouser
726-BC817UPNE6327
Fin de vida útil
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Infineon Technologies
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR ARRAY
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14,450En existencias
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$1.20
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$0.825
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$0.522
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$0.323
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$0.209
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Ver
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$0.239
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$0.182
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$0.16
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$0.126
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
- SQJQ906EL-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
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1:
$3.60
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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1,764En existencias
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Fin de vida útil
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N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ906EL-T1_GE3
Fin de vida útil
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Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
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1,764En existencias
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$3.60
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$1.81
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$1.64
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$1.33
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$1.23
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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