Resultados: 5,125
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
SanRex Módulos de Diodos Discrete Semiconductor Modules 400V 200A 18En existencias
40Se espera el 11/11/2026
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Microchip Technology Diodos PIN Fast SMT MRI Protect PIN Diode 30ns Plazo de entrega 20 Semanas
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: 500

Diodes Incorporated Transistores digitales Prebias Transistor SOT363 T&R 3K 2,243En existencias
3,000Se espera el 08/25/2027
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Máx.: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CH MOSFET 20V 1,935En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 7,208En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 10,000

Infineon Technologies IGBTs 1700 V, 300 A dual IGBT module 1En existencias
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Toshiba Transistores digitales SMV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz 5,790En existencias
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: 3,000
Toshiba Transistores digitales TRANSISTOR NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A 8,309En existencias
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: 3,000

Toshiba Transistores digitales TRANSISTOR NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A 3,181En existencias
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: 4,000

Toshiba Transistores digitales ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz 3,910En existencias
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: 4,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A 20V 2-in-1 4,671En existencias
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: 3,000

Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BCM846BSH-Q/SOT363/SC-88 5,034En existencias
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: 3,000

onsemi Transistores digitales 100mA 50V Dual NPN 6,859En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 4,000

onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP 3,469En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 4,000


onsemi Diodos de Conmutación de Señal Baja SS SWCH DIO SPCL 6,000En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 3,000

Mitsubishi Electric Módulos IGBT IGBT MODULE T-SERIES STANDARD TYPE DUAL 9En existencias
60En pedido
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Mitsubishi Electric Módulos IGBT IGBT MODULE NFH-SERIES HI-FREQUENCY DUAL 6En existencias
30Se espera el 09/22/2026
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 60 V, 24 mOhm typ., 10 A STripFET F7 Power MOSFET in 2,840En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 62En existencias
6,000En pedido
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Máx.: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky Schottky Rectifier TO220AB TUBE 50PCS 46En existencias
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IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 30A 2X 400V ISOPLUS220 20En existencias
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ROHM Semiconductor Transistores digitales DUAL PNP 50V 100MA 2,946En existencias
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: 3,000

ROHM Semiconductor Diodos Zener 200mW; UMD3 15.85-16.51V Vz 2,711En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

ROHM Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) BIPOLAR PNP 1,912En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Toshiba Transistores digitales Gen Trans NPN x 2 SMV, 50V, 100A 1,258En existencias
9,000Se espera el 10/30/2026
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: 3,000