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Controladores de puerta con aislamiento óptico Isolated Dual-Input Control Independent Dual-Channel Gate Driver
- MP18851-A4BGY-P
- Monolithic Power Systems (MPS)
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1:
$4.29
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
88En existencias
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N.º de artículo de Mouser
946-MP18851A4BGYP
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Monolithic Power Systems (MPS)
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Controladores de puerta con aislamiento óptico Isolated Dual-Input Control Independent Dual-Channel Gate Driver
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88En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
:
500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRNSISTR 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
- SH8K12TB1
- ROHM Semiconductor
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1:
$1.99
-
1,091En existencias
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N.º de artículo de Mouser
755-SH8K12TB1
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ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRNSISTR 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
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1,091En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
- DMT26M0LDG-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$2.10
-
776En existencias
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N.º de artículo de Mouser
621-DMT26M0LDG-7
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Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
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776En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel(Dual) -40V Low Noise
- IFN146
- InterFET
-
1:
$23.60
-
280En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IFN146
N.º de artículo de Mouser
106-IFN146
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InterFET
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Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel(Dual) -40V Low Noise
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280En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Diodos PIN Fast SMT MRI Protect PIN Diode 30ns
- MML4403-GM3
- Microchip Technology
-
1:
$7.49
-
454En existencias
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N.º de artículo de Mouser
494-MML4403-GM3
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Microchip Technology
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Diodos PIN Fast SMT MRI Protect PIN Diode 30ns
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454En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
500
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Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V
- FF200R17KE4
- Infineon Technologies
-
1:
$174.90
-
28En existencias
-
30Se espera el 03/11/2027
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N.º de artículo de Mouser
641-FF200R17KE4
|
Infineon Technologies
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Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V
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28En existencias
30Se espera el 03/11/2027
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
- NSV20200DMTWTBG
- onsemi
-
1:
$1.28
-
5,984En existencias
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N.º de artículo de Mouser
863-NSV20200DMTWTBG
|
onsemi
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 20V DUAL LOW VCE(SA T) FOR
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5,984En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V P-Chnl UMOS
- ZXMP3A17DN8TA
- Diodes Incorporated
-
1:
$2.37
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
3,183En existencias
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N.º de artículo de Mouser
522-ZXMP3A17DN8TA
|
Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V P-Chnl UMOS
|
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3,183En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
:
500
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
- FMBM5551
- onsemi
-
1:
$0.71
-
40,535En existencias
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N.º de artículo de Mouser
512-FMBM5551
|
onsemi
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
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40,535En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO-6 N-CH ENHANCE
- NDC7002N
- onsemi
-
1:
$0.97
-
34,090En existencias
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N.º de artículo de Mouser
512-NDC7002N
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onsemi
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO-6 N-CH ENHANCE
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34,090En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual 20V PNP-20V 64mOhm 4.5A IC
- ZXTD718MCTA
- Diodes Incorporated
-
1:
$1.44
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
4,992En existencias
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N.º de artículo de Mouser
522-ZXTD718MCTA
|
Diodes Incorporated
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual 20V PNP-20V 64mOhm 4.5A IC
|
|
4,992En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015
- CSD75208W1015T
- Texas Instruments
-
1:
$1.81
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
8,774En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
595-CSD75208W1015T
|
Texas Instruments
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015
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8,774En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
:
250
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V N-CH NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
- CSD87312Q3E
- Texas Instruments
-
1:
$2.33
-
2,185En existencias
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N.º de artículo de Mouser
595-CSD87312Q3E
|
Texas Instruments
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 30V N-CH NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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|
2,185En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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Transistores digitales DUAL PNP 200mW
- DDA114EU-7-F
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.41
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
61,455En existencias
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N.º de artículo de Mouser
621-DDA114EU-F
|
Diodes Incorporated
|
Transistores digitales DUAL PNP 200mW
|
|
61,455En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
- BSC0923NDI
- Infineon Technologies
-
1:
$2.15
-
4,553En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0923NDI
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
|
|
4,553En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
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Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
- FF450R12ME7B11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$140.49
-
17En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF450R12ME7B11BP
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
|
|
17En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
- FF600R12ME4WB73BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$205.50
-
19En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF600R12ME4WB73B
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
|
|
19En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
- HP8MA2TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.77
-
2,500En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-HP8MA2TB1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
|
|
2,500En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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|
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Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY
- SCS210KE2GC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$11.51
-
420En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCS210KE2GC11
|
ROHM Semiconductor
|
Diodos Schottky de SiC RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY
|
|
420En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
- SP8K31HZGTB
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.18
-
2,411En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SP8K31HZGTB
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
|
|
2,411En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Pch+Pch Si MOSFET
- UT6J3TCR
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.23
-
6,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-UT6J3TCR
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Pch+Pch Si MOSFET
|
|
6,000En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Junction FET N-Ch x2 1.2V to 14mA 10mA
- 2SK3320-BL(TE85L,F
- Toshiba
-
1:
$1.21
-
43,217En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-2SK3320-BLTE85LF
|
Toshiba
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Junction FET N-Ch x2 1.2V to 14mA 10mA
|
|
43,217En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
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Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
- RN1901FE,LXHF(CT
- Toshiba
-
1:
$0.43
-
30,160En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-RN1901FELXHFCT
|
Toshiba
|
Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
|
|
30,160En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
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Rectificadores SOT-227 - GEN5 FRED IN PARALLE
- VS-U5FH150FA60
- Vishay Semiconductors
-
1:
$21.07
-
213En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-VS-U5FH150FA60
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores SOT-227 - GEN5 FRED IN PARALLE
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|
213En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V
- SI4932DY-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.08
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
20,029En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
781-SI4932DY-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.0A 3.2W 15mohm @ 10V
|
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20,029En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
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