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IGBTs EcoSPARK2 300mJ 400V N-Chan Ignition IGB
- FGD3040G2-F085
- onsemi
-
1:
$2.71
-
25,030En existencias
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N.º de artículo de Mouser
512-FGD3040G2_F085
|
onsemi
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IGBTs EcoSPARK2 300mJ 400V N-Chan Ignition IGB
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25,030En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
- FGH60N60SMD
- onsemi
-
1:
$8.13
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
6,650En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FGH60N60SMD
|
onsemi
|
IGBTs 600V/60A Field Stop IGBT ver. 2
|
|
6,650En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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|
Rectificadores y diodos Schottky 2a/30V Schottky
- SS23
- onsemi
-
1:
$0.73
-
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
114,857En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
SS23
N.º de artículo de Mouser
512-SS23
|
onsemi
|
Rectificadores y diodos Schottky 2a/30V Schottky
|
|
114,857En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
- DMP6180SK3Q-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$1.32
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
83,060En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMP6180SK3Q-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
|
|
83,060En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
:
2,500
|
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|
Rectificadores 2.5 Amp 1500 Volt
- BY228GP-E3/54
- Vishay Semiconductors
-
1:
$4.31
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
17,609En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
625-BY228GP-E3
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores 2.5 Amp 1500 Volt
|
|
17,609En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,400
|
|
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|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R037P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$10.73
-
12,646En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R037P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
12,646En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4,000
|
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IGBTs 75 Amps 1200V
- IXDN75N120
- IXYS
-
1:
$49.77
-
1,279En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXDN75N120
|
IXYS
|
IGBTs 75 Amps 1200V
|
|
1,279En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
- IXFA10N80P
- IXYS
-
1:
$6.59
-
8,779En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFA10N80P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
|
|
8,779En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
- IXFK240N25X3
- IXYS
-
1:
$36.49
-
602En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFK240N25X3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
|
|
602En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
- IXFN200N10P
- IXYS
-
1:
$33.19
-
1,914En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFN200N10P
|
IXYS
|
Módulos MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
|
|
1,914En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
- IXFX64N60P
- IXYS
-
1:
$27.91
-
1,135En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
|
|
1,135En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV
- IXTA1N200P3HV
- IXYS
-
1:
$12.46
-
2,482En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA1N200P3HV
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV
|
|
2,482En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
- IXTA86N20X4
- IXYS
-
1:
$15.89
-
2,004En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTA86N20X4
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
|
|
2,004En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
- IXTN400N15X4
- IXYS
-
1:
$54.43
-
344En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTN400N15X4
|
IXYS
|
Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X4CLASS
|
|
344En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs XPT 600V IGBT 300A
- IXXX300N60B3
- IXYS
-
1:
$40.03
-
684En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXXX300N60B3
|
IXYS
|
IGBTs XPT 600V IGBT 300A
|
|
684En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs TO247 1200V 85A XPT
- IXYH85N120A4
- IXYS
-
1:
$22.62
-
1,342En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXYH85N120A4
|
IXYS
|
IGBTs TO247 1200V 85A XPT
|
|
1,342En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 200V Switching High-Speed Diode
- 1SS306TE85LF
- Toshiba
-
1:
$3.12
-
21,243En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-1SS306TE85LF
|
Toshiba
|
Diodos de Conmutación de Señal Baja 0.1A 200V Switching High-Speed Diode
|
|
21,243En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky Diode Schottky 30V 2A
- CMS06(TE12L,Q,M)
- Toshiba
-
1:
$0.88
-
87,761En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-CMS06TE12L,Q,M
|
Toshiba
|
Rectificadores y diodos Schottky Diode Schottky 30V 2A
|
|
87,761En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
- TJ200F04M3L,LXHQ
- Toshiba
-
1:
$4.44
-
39,481En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TJ200F04M3L,LXHQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
|
|
39,481En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky PMEG100T150ELPE/SOT1289B/CFP15
- PMEG100T150ELPEZ
- Nexperia
-
1:
$1.58
-
90,331En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PMEG100T150ELPEZ
|
Nexperia
|
Rectificadores y diodos Schottky PMEG100T150ELPE/SOT1289B/CFP15
|
|
90,331En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
- SI2369BDS-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$0.74
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
313,300En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SI2369BDS-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V (D-S) MOSFET P-CHANNEL
|
|
313,300En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
- SIS184DN-T1-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.44
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
23,084En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIS184DN-T1-GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
|
|
23,084En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH
- SISH101DN-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.52
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
45,416En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SISH101DN-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds; +/-25V Vgs PowerPAK 1212-8SH
|
|
45,416En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
- SQJ410EP-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.48
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
25,495En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ410EP-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
|
|
25,495En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQJQ410EL-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$4.30
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
9,950En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ410EL-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
9,950En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
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